Памяти Леонида Вениаминовича Келдыша. Обзоры актуальных проблем
Особенности туннельных процессов в полупроводниковых наноструктурах
П.И. Арсеева,б,
В.Н. Манцевичв,
Н.С. Масловав,
В.И. Пановв аФизический институт им. П.Н. Лебедева РАН, Ленинский проспект 53, Москва, 119991, Российская Федерация бНациональный исследовательский университет «Высшая школа экономики», ул. Мясницкая 20, Москва, 101000, Российская Федерация вМосковский государственный университет имени М. В. Ломоносова, Воробьевы горы, Москва, 119991, Российская Федерация
Приведено описание экспериментальных данных, полученных методом сканирующей туннельной микроскопии/спектроскопии (СТМ/СТС), в которых наиболее ярко проявилось влияние неравновесных туннельных эффектов и реконструкции электронного спектра, а также дано их теоретическое объяснение, основанное на самосогласованном учёте неравновесного распределения электронов и изменения плотности электронных состояний в области туннельного контакта при протекании туннельного тока. Обсуждаются основные положения самосогласованной теории туннелирования, на которую могут опираться экспериментаторы в своих исследованиях и которая позволяет не только описывать многие эффекты, наблюдаемые в СТМ/СТС-экспериментах, но и даёт возможность предсказывать новые.
Ключевые слова: туннелирование, сканирующая туннельная микроскопия/спектроскопия, локализованные состояния, диаграммная техника Келдыша, неравновесные процессы, межчастичное взаимодействие PACS:05.60.Gg, 68.37.Ef, 73.40.Gk, 73.63.−b (все) DOI:10.3367/UFNr.2017.01.038055 URL: https://ufn.ru/ru/articles/2017/11/b/ 000424395100002 2-s2.0-85042146920 2017PhyU...60.1067A Цитата: Арсеев П И, Манцевич В Н, Маслова Н С, Панов В И "Особенности туннельных процессов в полупроводниковых наноструктурах" УФН187 1147–1168 (2017)
PT Journal Article
TI Особенности туннельных процессов в полупроводниковых наноструктурах
AU Арсеев П И
FAU Арсеев ПИ
AU Манцевич В Н
FAU Манцевич ВН
AU Маслова Н С
FAU Маслова НС
AU Панов В И
FAU Панов ВИ
DP 10 Nov, 2017
TA Усп. физ. наук
VI 187
IP 11
PG 1147-1168
RX 10.3367/UFNr.2017.01.038055
URL https://ufn.ru/ru/articles/2017/11/b/
SO Усп. физ. наук 2017 Nov 10;187(11):1147-1168
Поступила: 12 декабря 2016, одобрена в печать: 28 января 2017