Приведено описание экспериментальных данных, полученных методом сканирующей туннельной микроскопии/спектроскопии (СТМ/СТС), в которых наиболее ярко проявилось влияние неравновесных туннельных эффектов и реконструкции электронного спектра, а также дано их теоретическое объяснение, основанное на самосогласованном учёте неравновесного распределения электронов и изменения плотности электронных состояний в области туннельного контакта при протекании туннельного тока. Обсуждаются основные положения самосогласованной теории туннелирования, на которую могут опираться экспериментаторы в своих исследованиях и которая позволяет не только описывать многие эффекты, наблюдаемые в СТМ/СТС-экспериментах, но и даёт возможность предсказывать новые.

Ключевые слова: туннелирование, сканирующая туннельная микроскопия/спектроскопия, локализованные состояния, диаграммная техника Келдыша, неравновесные процессы, межчастичное взаимодействие PACS: 05.60.Gg, 68.37.Ef, 73.40.Gk, 73.63.−b (все) DOI: 10.3367/UFNr.2017.01.038055 URL: https://ufn.ru/ru/articles/2017/11/b/ 000424395100002 2-s2.0-85042146920 2017PhyU...60.1067A Цитата: Арсеев П И, Манцевич В Н, Маслова Н С, Панов В И "Особенности туннельных процессов в полупроводниковых наноструктурах" УФН 187 1147–1168 (2017) BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks Поступила: 12 декабря 2016, одобрена в печать: 28 января 2017 English citation: Arseev P I, Mantsevich V N, Maslova N S, Panov V I “Tunneling features in semiconductor nanostructures” Phys. Usp. 60 1067–1086 (2017); DOI: 10.3367/UFNe.2017.01.038055 Л.В. Келдыш — автор УФН