Особенности туннельных процессов в полупроводниковых наноструктурах

П.И. Арсеев^а, б, В.Н. Манцевич^в, Н.С. Маслова^в, В.И. Панов^в
^аФизический институт им. П.Н. Лебедева РАН, Ленинский проспект 53, Москва, 119991, Российская Федерация
^бНациональный исследовательский университет «Высшая школа экономики», ул. Мясницкая 20, Москва, 101000, Российская Федерация
^вМосковский государственный университет имени М. В. Ломоносова, Воробьевы горы, Москва, 119991, Российская Федерация

Приведено описание экспериментальных данных, полученных методом сканирующей туннельной микроскопии/спектроскопии (СТМ/СТС), в которых наиболее ярко проявилось влияние неравновесных туннельных эффектов и реконструкции электронного спектра, а также дано их теоретическое объяснение, основанное на самосогласованном учёте неравновесного распределения электронов и изменения плотности электронных состояний в области туннельного контакта при протекании туннельного тока. Обсуждаются основные положения самосогласованной теории туннелирования, на которую могут опираться экспериментаторы в своих исследованиях и которая позволяет не только описывать многие эффекты, наблюдаемые в СТМ/СТС-экспериментах, но и даёт возможность предсказывать новые.

Текст pdf (1,3 Мб)

Скачивая файл я соглашаюсь с условиями использования.

English fulltext is available at DOI: 10.3367/UFNe.2017.01.038055

Ключевые слова: туннелирование, сканирующая туннельная микроскопия/спектроскопия, локализованные состояния, диаграммная техника Келдыша, неравновесные процессы, межчастичное взаимодействие
PACS: 05.60.Gg, 68.37.Ef, 73.40.Gk, 73.63.−b (все)
DOI: 10.3367/UFNr.2017.01.038055
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2017/11/b/
Web of Science

000424395100002
Scopus

2-s2.0-85042146920
ADS NASA

2017PhyU...60.1067A
Цитата: Арсеев П И, Манцевич В Н, Маслова Н С, Панов В И "Особенности туннельных процессов в полупроводниковых наноструктурах" УФН 187 1147–1168 (2017)

BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

Русский

English

@article{Arseev:2017,
	author = {П. И. Арсеев and В. Н. Манцевич and Н. С. Маслова and В. И. Панов},
	title = {Особенности туннельных процессов в полупроводниковых наноструктурах},
	publisher = {Успехи физических наук},
	year = {2017},
	journal = {Усп. физ. наук},
	volume = {187},
	number = {11},
	pages = {1147-1168},
	url = {https://ufn.ru/ru/articles/2017/11/b/},
	doi = {10.3367/UFNr.2017.01.038055}
}

Поступила: 12 декабря 2016, одобрена в печать: 28 января 2017

English citation: Arseev P I, Mantsevich V N, Maslova N S, Panov V I “Tunneling features in semiconductor nanostructures” Phys. Usp. 60 1067–1086 (2017); DOI: 10.3367/UFNe.2017.01.038055

Л.В. Келдыш — автор УФН