|
||||||||||||||||||
Выращивание кристалла GaN на сапфировой подложке методом низкотемпературного осаждения буферного слоя и получение кристалла GaN p-типа с помощью допирования магнием и дальнейшего облучения низкоэнергетическим электронным пучкомНобелевская лекция по физике, Стокгольм, 8 декабря 2014 г.
|
||||||||||||||||||
|