Выращивание кристалла GaN на сапфировой подложке методом низкотемпературного осаждения буферного слоя и получение кристалла GaN p-типа с помощью допирования магнием и дальнейшего облучения низкоэнергетическим электронным пучком

PACS: 42.72.Bj, 81.10.−h, 85.60.Dw (все)
DOI: 10.3367/UFNr.2014.12.037745
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2016/5/f/
Цитата: Амано Х "Выращивание кристалла GaN на сапфировой подложке методом низкотемпературного осаждения буферного слоя и получение кристалла GaN p-типа с помощью допирования магнием и дальнейшего облучения низкоэнергетическим электронным пучком" УФН 186 518–523 (2016)

BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)Medline

RefWorks

Русский

English

RT Journal
T1 Выращивание кристалла GaN на сапфировой подложке методом низкотемпературного осаждения буферного слоя и получение кристалла GaN p-типа с помощью допирования магнием и дальнейшего облучения низкоэнергетическим электронным пучком
A1 Амано,Х.
PB Успехи физических наук
PY 2016
FD 10 May, 2016
JF Успехи физических наук
JO Усп. физ. наук
VO 186
IS 5
SP 518-523
DO 10.3367/UFNr.2014.12.037745
LK https://ufn.ru/ru/articles/2016/5/f/

Поступила: 2 декабря 2015, одобрена в печать: 8 декабря 2014

English citation: Amano H “Growth of GaN on sapphire via low-temperature deposited buffer layer and realization of p-type GaN by Mg doping followed by low-energy electron beam irradiation” Phys. Usp. 59 (5) (2016)