Выращивание кристалла GaN на сапфировой подложке методом низкотемпературного осаждения буферного слоя и получение кристалла GaN p-типа с помощью допирования магнием и дальнейшего облучения низкоэнергетическим электронным пучком

PACS: 42.72.Bj, 81.10.−h, 85.60.Dw (все)
DOI: 10.3367/UFNr.2014.12.037745
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2016/5/f/
Цитата: Амано Х "Выращивание кристалла GaN на сапфировой подложке методом низкотемпературного осаждения буферного слоя и получение кристалла GaN p-типа с помощью допирования магнием и дальнейшего облучения низкоэнергетическим электронным пучком" УФН 186 518–523 (2016)

BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)

MedlineRefWorks

Русский

English

PT Journal Article
TI Выращивание кристалла GaN на сапфировой подложке методом низкотемпературного осаждения буферного слоя и получение кристалла GaN p-типа с помощью допирования магнием и дальнейшего облучения низкоэнергетическим электронным пучком
AU Амано Х
FAU Амано Х
DP 10 May, 2016
TA Усп. физ. наук
VI 186
IP 5
PG 518-523
RX 10.3367/UFNr.2014.12.037745
URL https://ufn.ru/ru/articles/2016/5/f/
SO Усп. физ. наук 2016 May 10;186(5):518-523

Поступила: 2 декабря 2015, одобрена в печать: 8 декабря 2014

English citation: Amano H “Growth of GaN on sapphire via low-temperature deposited buffer layer and realization of p-type GaN by Mg doping followed by low-energy electron beam irradiation” Phys. Usp. 59 (5) (2016)