Выращивание кристалла GaN на сапфировой подложке методом низкотемпературного осаждения буферного слоя и получение кристалла GaN p-типа с помощью допирования магнием и дальнейшего облучения низкоэнергетическим электронным пучком

PACS: 42.72.Bj, 81.10.−h, 85.60.Dw (все)
DOI: 10.3367/UFNr.2014.12.037745
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2016/5/f/
Цитата: Амано Х "Выращивание кристалла GaN на сапфировой подложке методом низкотемпературного осаждения буферного слоя и получение кристалла GaN p-типа с помощью допирования магнием и дальнейшего облучения низкоэнергетическим электронным пучком" УФН 186 518–523 (2016)

BibTex

BibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

Русский

English

%0 Journal Article
%T Выращивание кристалла GaN на сапфировой подложке методом низкотемпературного осаждения буферного слоя и получение кристалла GaN p-типа с помощью допирования магнием и дальнейшего облучения низкоэнергетическим электронным пучком
%A Х. Амано
%I Успехи физических наук
%D 2016
%J Усп. физ. наук
%V 186
%N 5
%P 518-523
%U https://ufn.ru/ru/articles/2016/5/f/
%U https://doi.org/10.3367/UFNr.2014.12.037745

Поступила: 2 декабря 2015, одобрена в печать: 8 декабря 2014

English citation: Amano H “Growth of GaN on sapphire via low-temperature deposited buffer layer and realization of p-type GaN by Mg doping followed by low-energy electron beam irradiation” Phys. Usp. 59 (5) (2016)