 |
RSS-ленты |
|
|||||
| Выпуск 10, 2024 |
|
||||||
|
|
|
||||||
Выпуски/2016/Май |
← → |
| Нобелевские лекции по физике |
Выращивание кристалла GaN на сапфировой подложке методом низкотемпературного осаждения буферного слоя и получение кристалла GaN p-типа с помощью допирования магнием и дальнейшего облучения низкоэнергетическим электронным пучком
Нобелевская лекция по физике, Стокгольм, 8 декабря 2014 г.
|
PACS: 42.72.Bj, 81.10.−h, 85.60.Dw ()
DOI: URL: https://ufn.ru/ru/articles/2016/5/f/ Цитата: Амано Х "Выращивание кристалла GaN на сапфировой подложке методом низкотемпературного осаждения буферного слоя и получение кристалла GaN p-типа с помощью допирования магнием и дальнейшего облучения низкоэнергетическим электронным пучком" УФН 186 518–523 (2016) Поступила: 2 декабря 2015, одобрена в печать: 8 декабря 2014 English citation: Amano H “Growth of GaN on sapphire via low-temperature deposited buffer layer and realization of p-type GaN by Mg doping followed by low-energy electron beam irradiation” Phys. Usp. 59 (5) (2016) |
|
© Успехи физических наук, 1918–2024 Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение |