RSS-ленты
РусскийEnglish
Выпуск 11, 2024
Том год страница
Выпуски Авторы PACS Подписчикам Для авторов

Выпуски

 / 

2013

 / 

Октябрь

←  →

Приборы и методы исследований


Современные тенденции развития технологий выращивания графена методом химического осаждения паров на медных подложках


Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, просп. Лаврентьева 13, Новосибирск, 630090, Российская Федерация

Рассмотрены последние наиболее интересные достижения и тенденции развития технологий выращивания графена на медных подложках. Анализируются влияние качества подготовки подложки и других параметров процесса на свойства плёнок, полученных при разных давлениях и температурах на медной фольге и более тонких слоях меди. Обсуждаются способы получения крупных монокристаллических доменов графена и их свойства, а также технологии, не требующие переноса плёнки графена на диэлектрическую подложку. Ещё один обсуждаемый в статье важный подход — это возможность латерального роста графена от специально сформированных мультиграфеновых или углеродсодержащих зародышей и металлических катализаторов.

Текст pdf (835 Кб)
English fulltext is available at DOI: 10.3367/UFNe.0183.201310i.1115
PACS: 68.65.Pq, 81.05.ue, 81.15.Gh, 81.16.Be (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0183.201310i.1115
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2013/10/i/
000329313100004
2013PhyU...56.1013A
Цитата: Антонова И В "Современные тенденции развития технологий выращивания графена методом химического осаждения паров на медных подложках" УФН 183 1115–1122 (2013)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

Поступила: 14 февраля 2013, доработана: 2 марта 2013, 27 февраля 2013

English citation: Antonova I V “Chemical vapor deposition growth of graphene on copper substrates: current trends” Phys. Usp. 56 1013–1020 (2013); DOI: 10.3367/UFNe.0183.201310i.1115

Список литературы (44) Статьи, ссылающиеся на эту (24) ↓ Похожие статьи (10)

  1. Faul E-B A, Broussard A M et al Micromachines 15 277 (2024)
  2. (8TH BRUNEI INTERNATIONAL CONFERENCE ON ENGINEERING AND TECHNOLOGY 2021) Vol. 8TH BRUNEI INTERNATIONAL CONFERENCE ON ENGINEERING AND TECHNOLOGY 2021Effects of pressure variations in the quality of graphene production through chemical vapor deposition by regressionNur Aqidah Binti HajiDonglahNornasuha Binti MahmudAdenanMaziyarSabet2643 (2023) p. 060005
  3. Liang Y, Zhang W Mater. Res. Express 9 115601 (2022)
  4. Rodríguez-Villanueva S, Mendoza F et al Nanomaterials 12 3033 (2022)
  5. Huang D, Duan Y et al Adv Funct Materials 32 (42) (2022)
  6. Maher A, Mahmoud M S, Saba A M S Nanotechnology 33 065202 (2022)
  7. Nguyen H-T, Nguyen Y et al Nanomaterials 11 981 (2021)
  8. Zhou W-G, Leng Yu-Ch et al 10 2695 (2021)
  9. Rodríguez-Villanueva S, Mendoza F et al Nanomaterials 12 109 (2021)
  10. Munir T, Mahmood A et al Layered 2D Advanced Materials and Their Allied Applications 1 (2020) p. 283
  11. Ponomarenko V P, Popov V S et al J. Commun. Technol. Electron. 65 1062 (2020)
  12. Hossain M A, Khoo K T et al Nano Materials Science 2 204 (2020)
  13. Arya Ch, De Silva K K H, Yoshimura M J Mater Sci: Mater Electron 31 21821 (2020)
  14. Kolesnikov S V, Sidorenkov A V, Saletsky A M Jetp Lett. 111 116 (2020)
  15. Vyatkin A F Tech. Phys. Lett. 45 170 (2019)
  16. Nikolaev D V, Popov V I et al (AIP Conference Proceedings) Vol. 2035 (2018) p. 020014
  17. Haidari M M, Kim H et al Journal of Industrial and Engineering Chemistry 64 367 (2018)
  18. Sidorenkov A V, Kolesnikov S V, Saletsky A M Mod. Phys. Lett. B 31 1750289 (2017)
  19. Orellana Ch, Cunha T et al 7 (8) (2017)
  20. Krauß P, Engstler J, Schneider J J Beilstein J. Nanotechnol. 8 2017 (2017)
  21. Prasad K, Bandara Ch et al Nanomaterials 7 170 (2017)
  22. Sidorenkov A V, Kolesnikov S V, Saletsky A M Eur. Phys. J. B 89 (10) (2016)
  23. Rudskoy A I, Kol’tsova T S et al Met Sci Heat Treat 58 40 (2016)
  24. Kolypaev I M, Sobol’ O V et al 2016 International Conference on Nanomaterials: Application & Properties (NAP), (2016) p. 02CBNM06-1
© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение