RSS-ленты
РусскийEnglish
Выпуск 12, 2024
Том год страница
Выпуски Авторы PACS Подписчикам Для авторов

Выпуски

 / 

2013

 / 

Октябрь

←  →

Приборы и методы исследований


Современные тенденции развития технологий выращивания графена методом химического осаждения паров на медных подложках


Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, просп. Лаврентьева 13, Новосибирск, 630090, Российская Федерация

Рассмотрены последние наиболее интересные достижения и тенденции развития технологий выращивания графена на медных подложках. Анализируются влияние качества подготовки подложки и других параметров процесса на свойства плёнок, полученных при разных давлениях и температурах на медной фольге и более тонких слоях меди. Обсуждаются способы получения крупных монокристаллических доменов графена и их свойства, а также технологии, не требующие переноса плёнки графена на диэлектрическую подложку. Ещё один обсуждаемый в статье важный подход — это возможность латерального роста графена от специально сформированных мультиграфеновых или углеродсодержащих зародышей и металлических катализаторов.

Текст pdf (835 Кб)
English fulltext is available at DOI: 10.3367/UFNe.0183.201310i.1115
PACS: 68.65.Pq, 81.05.ue, 81.15.Gh, 81.16.Be (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0183.201310i.1115
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2013/10/i/
000329313100004
2013PhyU...56.1013A
Цитата: Антонова И В "Современные тенденции развития технологий выращивания графена методом химического осаждения паров на медных подложках" УФН 183 1115–1122 (2013)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

Поступила: 14 февраля 2013, доработана: 2 марта 2013, 27 февраля 2013

English citation: Antonova I V “Chemical vapor deposition growth of graphene on copper substrates: current trends” Phys. Usp. 56 1013–1020 (2013); DOI: 10.3367/UFNe.0183.201310i.1115

Список литературы (44) ↓ Статьи, ссылающиеся на эту (24) Похожие статьи (10)

  1. Novoselov K S et al. Nature 490 192 (2012)
  2. Wu Y H, Yu T, Shen Z X J. Appl. Phys. 108 71301 (2010)
  3. Dresselhaus M S, Dresselhaus G Adv. Phys. 51 1 (2002)
  4. Morozov S V et al. Phys. Rev. Lett. 100 016602 (2008)
  5. Ruan M et al. MRS Bull. 37 1138 (2012)
  6. Bartelt N C, McCarty K F MRS Bull. 37 1158 (2012)
  7. Елецкий А В и др. УФН 181 233 (2011); Eletskii A V et al. Phys. Usp. 54 227 (2011)
  8. Hong B H Graphene Intern. Conf., Brussels, Belgium, April 10 - 13, 2012, Abstract Book p. 95
  9. Kobayashi T et al. Appl. Phys. Lett. 102 023112 (2013)
  10. Mattevi C, Kim H, Chhowalla M J. Mater. Chem. 21 3324 (2011)
  11. Reina A et al. Nano Lett. 9 30 (2009)
  12. Cooper D R et al. arXiv:1110.6557
  13. Li X et al. ECS Trans. 19 41 (2009)
  14. Li X et al. J. Am. Chem. Soc. 133 2816 (2011)
  15. Luo Z et al. Chem. Mater. 23 1441 (2011)
  16. Liu W et al. Carbon 49 4122 (2011)
  17. Li X et al. Science 324 1312 (2009)
  18. Wei D et al. Nano Lett. 9 1752 (2009)
  19. Memon N K et al. Carbon 49 5064 (2011)
  20. Wu W et al. Nanotechnology 23 035603 (2012)
  21. Zhang B et al. ACS Nano 6 2471 (2012)
  22. Li X S et al. Nano Lett. 10 4328 (2010)
  23. Li X et al. Science 324 1312 (2009)
  24. Zhang Y et al. Nano Lett. 12 2810 (2012)
  25. Petrone N et al. Nano Lett. 12 2751 (2012)
  26. Lee S, Lee K, Zhong Z Nano Lett. 10 4702 (2010)
  27. Liu L et al. ACS Nano 6 8241 (2012)
  28. Geng D et al. Proc. Natl. Acad. Sci. USA 109 7992 (2012)
  29. Amini S et al. J. Appl.Phys. 108 094321 (2010)
  30. Lee Y et al. Nano Lett. 10 490 (2010)
  31. Ismach A et al. Nano Lett. 10 1542 (2010)
  32. Levendorf M P et al. Nano Lett. 9 4479 (2009)
  33. Wessely P J et al. Electrochem. Solid State Lett. 15 K31 (2012)
  34. Wessely P J et al. Solid State Electron. 81 86 (2013); Wessely P J et al. arXiv:1205.6909
  35. Wessely P J et al. Physica E 44 1132 (2012)
  36. Schwierz F Nature Nanotechnol. 5 487 (2010)
  37. Suk J W et al. ACS Nano 5 6916 (2011)
  38. Ren Y et al. NANO 7 1150001 (2012)
  39. Zhang Y et al. ACS Nano 6 126 (2011)
  40. Ji H et al. ACS Nano 5 7656 (2011)
  41. Fan L et al. Nanotechnology 23 115605 (2012)
  42. Yu Q et al. Nature Mater. 10 443 (2011)
  43. Yu Q, Pei S "Fabrication of single-crystalline graphene arrays" US Patent No. 20120088039 (April 12, 2012)
  44. Wang Y et al. ACS Nano 5 9927 (2011)
© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение