Механизмы переноса электронов и дырок в диэлектрических плёнках

К.А. Насыров^а, В.А. Гриценко^б
^аИнститут автоматики и электрометрии СО РАН, просп. Акад. Коптюга 1, Новосибирск, 630090, Российская Федерация
^бИнститут физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, просп. Лаврентьева 13, Новосибирск, 630090, Российская Федерация

Представлен обзор механизмов транспорта электронов и дырок в основных аморфных диэлектриках кремниевых приборов: оксиде и нитриде кремния, оксиде алюминия. Установлено, что широко распространённая модель Френкеля формально описывает перенос в диэлектриках с ловушками, однако для количественного согласия необходимо использовать нефизичные параметры модели. Показано, что перенос заряда в диэлектриках с ловушками непротиворечиво описывается многофононной моделью ионизации ловушек.

Текст pdf (792 Кб)

Скачивая файл я соглашаюсь с условиями использования.

English fulltext is available at DOI: 10.3367/UFNe.0183.201310h.1099

PACS: 72.20.Ht, 72.20.Jv, 72.80.Sk, 73.40.Sx (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0183.201310h.1099
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2013/10/h/
Web of Science

000329313100003
ADS NASA

2013PhyU...56..999N
Цитата: Насыров К А, Гриценко В А "Механизмы переноса электронов и дырок в диэлектрических плёнках" УФН 183 1099–1114 (2013)

BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)Medline

RefWorks

Русский

English

RT Journal
T1 Transport mechanisms of electrons and holes in dielectric films
A1 Nasyrov,K.A.
A1 Gritsenko,V.A.
PB Uspekhi Fizicheskikh Nauk
PY 2013
FD 10 Oct, 2013
JF Uspekhi Fizicheskikh Nauk
JO Usp. Fiz. Nauk
VO 183
IS 10
SP 1099-1114
DO 10.3367/UFNr.0183.201310h.1099
LK https://ufn.ru/ru/articles/2013/10/h/

Поступила: 4 марта 2013, одобрена в печать: 11 июня 2013

English citation: Nasyrov K A, Gritsenko V A “Transport mechanisms of electrons and holes in dielectric films” Phys. Usp. 56 999–1012 (2013); DOI: 10.3367/UFNe.0183.201310h.1099