Механизмы переноса электронов и дырок в диэлектрических плёнках

К.А. Насыров^а, В.А. Гриценко^б
^аИнститут автоматики и электрометрии СО РАН, просп. Акад. Коптюга 1, Новосибирск, 630090, Российская Федерация
^бИнститут физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, просп. Лаврентьева 13, Новосибирск, 630090, Российская Федерация

Представлен обзор механизмов транспорта электронов и дырок в основных аморфных диэлектриках кремниевых приборов: оксиде и нитриде кремния, оксиде алюминия. Установлено, что широко распространённая модель Френкеля формально описывает перенос в диэлектриках с ловушками, однако для количественного согласия необходимо использовать нефизичные параметры модели. Показано, что перенос заряда в диэлектриках с ловушками непротиворечиво описывается многофононной моделью ионизации ловушек.

Текст pdf (792 Кб)

Скачивая файл я соглашаюсь с условиями использования.

English fulltext is available at DOI: 10.3367/UFNe.0183.201310h.1099

PACS: 72.20.Ht, 72.20.Jv, 72.80.Sk, 73.40.Sx (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0183.201310h.1099
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2013/10/h/
Web of Science

000329313100003
ADS NASA

2013PhyU...56..999N
Цитата: Насыров К А, Гриценко В А "Механизмы переноса электронов и дырок в диэлектрических плёнках" УФН 183 1099–1114 (2013)

BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

Поступила: 4 марта 2013, одобрена в печать: 11 июня 2013

English citation: Nasyrov K A, Gritsenko V A “Transport mechanisms of electrons and holes in dielectric films” Phys. Usp. 56 999–1012 (2013); DOI: 10.3367/UFNe.0183.201310h.1099