Применение и электронная структура диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью

Т.В. Перевалов, В.А. Гриценко
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, просп. Лаврентьева 13, Новосибирск, 630090, Российская Федерация

Представлен обзор основных применений диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью в кремниевых приборах. Рассмотрены основы метода функционала электронной плотности и его реализации в различных программных пакетах. Проанализированы результаты первопринципных расчётов электронной структуры для трёх наиболее важных и перспективных диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью — Al₂O₃, HfO₂ и TiO₂.

Текст pdf (822 Кб)

Скачивая файл я соглашаюсь с условиями использования.

English fulltext is available at DOI: 10.3367/UFNe.0180.201006b.0587

PACS: 71.15.Mb, 77.55.D−, 85.30.−z (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0180.201006b.0587
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2010/6/b/
Web of Science

000281644500002
Scopus

2-s2.0-77958606853
ADS NASA

2010PhyU...53..561P
Цитата: Перевалов Т В, Гриценко В А "Применение и электронная структура диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью" УФН 180 587–603 (2010)

BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

Русский

English

@article{Perevalov:2010,
	author = {T. V. Perevalov and V. A. Gritsenko},
	title = {Application and electronic structure of high-permittivity dielectrics},
	publisher = {Uspekhi Fizicheskikh Nauk},
	year = {2010},
	journal = {Usp. Fiz. Nauk},
	volume = {180},
	number = {6},
	pages = {587-603},
	url = {https://ufn.ru/ru/articles/2010/6/b/},
	doi = {10.3367/UFNr.0180.201006b.0587}
}

English citation: Perevalov T V, Gritsenko V A “Application and electronic structure of high-permittivity dielectrics” Phys. Usp. 53 561–575 (2010); DOI: 10.3367/UFNe.0180.201006b.0587