Представлен обзор основных применений диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью в кремниевых приборах. Рассмотрены основы метода функционала электронной плотности и его реализации в различных программных пакетах. Проанализированы результаты первопринципных расчётов электронной структуры для трёх наиболее важных и перспективных диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью — Al₂O₃, HfO₂ и TiO₂.

PACS: 71.15.Mb, 77.55.D−, 85.30.−z (все) DOI: 10.3367/UFNr.0180.201006b.0587 URL: https://ufn.ru/ru/articles/2010/6/b/ 000281644500002 2-s2.0-77958606853 2010PhyU...53..561P Цитата: Перевалов Т В, Гриценко В А "Применение и электронная структура диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью" УФН 180 587–603 (2010) BibTexBibNote ® (generic) BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks Русский English TY JOUR TI Применение и электронная структура диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью AU Перевалов, Т. В. AU Гриценко, В. А. PB Успехи физических наук PY 2010 JO Успехи физических наук JF Успехи физических наук JA Усп. физ. наук VL 180 IS 6 SP 587-603 UR https://ufn.ru/ru/articles/2010/6/b/ ER https://doi.org/10.3367/UFNr.0180.201006b.0587 English citation: Perevalov T V, Gritsenko V A “Application and electronic structure of high-permittivity dielectrics” Phys. Usp. 53 561–575 (2010); DOI: 10.3367/UFNe.0180.201006b.0587