Выпуски

 / 

2010

 / 

Июнь

  

Обзоры актуальных проблем


Применение и электронная структура диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью

,
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, просп. Лаврентьева 13, Новосибирск, 630090, Российская Федерация

Представлен обзор основных применений диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью в кремниевых приборах. Рассмотрены основы метода функционала электронной плотности и его реализации в различных программных пакетах. Проанализированы результаты первопринципных расчётов электронной структуры для трёх наиболее важных и перспективных диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью — Al2O3, HfO2 и TiO2.

Текст: pdf
Войдите или зарегистрируйтесь чтобы получить доступ к полным текстам статей.
English fulltext is available at IOP
PACS: 71.15.Mb, 77.55.D−, 85.30.−z (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0180.201006b.0587
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2010/6/b/
Цитата: Перевалов Т В, Гриценко В А "Применение и электронная структура диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью" УФН 180 587–603 (2010)
BibTexBibNote ® (generic) BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks
Русский English
TY JOUR
TI Применение и электронная структура диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью
AU Перевалов, Т. В.
AU Гриценко, В. А.
PB Успехи физических наук
PY 2010
JO Успехи физических наук
JF Успехи физических наук
JA Усп. физ. наук
VL 180
IS 6
SP 587-603
UR https://ufn.ru/ru/articles/2010/6/b/
ER https://doi.org/10.3367/UFNr.0180.201006b.0587

English citation: Perevalov T V, Gritsenko V A “Application and electronic structure of high-permittivity dielectricsPhys. Usp. 53 561–575 (2010); DOI: 10.3367/UFNe.0180.201006b.0587

© Успехи физических наук, 1918–2022
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение