Выпуски

 / 

2006

 / 

Сентябрь

  

Обзоры актуальных проблем


Создание наноструктур германия и кремния с помощью зонда сканирующего туннельного микроскопа

 а, б,  б
а Институт физики полупроводников СО РАН, просп. Ак. Лаврентьева 13, Новосибирск, 630090, Российская Федерация
б Quantum-Phase Electronics Center, Department of Applied Physics, The University of Tokyo and Japan Science and Technology Agency, CREST, 7-3-1 Hongo, Tokyo, 113-8656, Japan

Рассмотрено состояние исследований по созданию наноструктур на поверхностях полупроводников с помощью зонда сканирующего туннельного микроскопа (СТМ). Анализируется процесс непрерывного переноса атомов при направленной поверхностной диффузии под действием электрического поля СТМ в условиях испарения поверхностных атомов полем. Исследуется влияние облучения внешним электронным пучком на взаимодействие образца и зонда. Облучение создает условия как для уменьшения барьера для прямых межатомных реакций, так и для изменения направления переноса атомов между зондом и образцом. Показаны возможности создания наноструктур, таких, как островки и линии германия и кремния, а также окон кремния на окисленной поверхности кремния.

Текст pdf (911 Кб)
English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU2006v049n09ABEH006070
PACS: 68.37.Ef, 79.70.+q, 81.16.Ta (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0176.200609a.0913
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2006/9/a/
000243785700001
2-s2.0-33846649562
2006PhyU...49..887S
Цитата: Шкляев А А, Ичикава М "Создание наноструктур германия и кремния с помощью зонда сканирующего туннельного микроскопа" УФН 176 913–930 (2006)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Shklyaev A A, Ichikawa M “Fabrication of germanium and silicon nanostructures using a scanning tunneling microscopePhys. Usp. 49 887–903 (2006); DOI: 10.1070/PU2006v049n09ABEH006070

Список литературы (79) Статьи, ссылающиеся на эту (8) Похожие статьи (20) ↓

  1. А.А. Шкляев, М. Ичикава «Предельно плотные массивы наноструктур германия и кремния» 178 139–169 (2008)
  2. В.В. Егоров, М.В. Алфимов «Теория J-полосы: от экситона Френкеля к переносу заряда» 177 1033–1081 (2007)
  3. Г.Н. Макаров «Применение лазеров в нанотехнологии: получение наночастиц и наноструктур методами лазерной абляции и лазерной нанолитографии» 183 673–718 (2013)
  4. С.А. Кукушкин, А.В. Осипов «Процессы конденсации тонких пленок» 168 1083–1116 (1998)
  5. В.Ю. Аристов «Поверхность β-SiC (100): атомная структура и электронные свойства» 171 801–826 (2001)
  6. Е.Д. Эйдельман, А.В. Архипов «Полевая эмиссия из углеродных наноструктур: модели и эксперимент» 190 693–714 (2020)
  7. А.В. Латышев, А.Л. Асеев «Моноатомные ступени на поверхности кремния» 168 1117–1127 (1998)
  8. Э.Я. Зандберг, Н.И. Ионов «Поверхностная ионизация» 67 581–623 (1959)
  9. Ю.Б. Болховитянов, О.П. Пчеляков, С.И. Чикичев «Кремний-германиевые эпитаксиальные пленки: физические основы получения напряженных и полностью релаксированных гетероструктур» 171 689–715 (2001)
  10. С.Я. Килин «Квантовая информация» 169 507–527 (1999)
  11. С.П. Бугаев, Е.А. Литвинов и др. «Взрывная эмиссия электронов» 115 101–120 (1975)
  12. К.А. Валиев «Квантовые компьютеры и квантовые вычисления» 175 3–39 (2005)
  13. А.Л. Суворов, В.В. Требуховский «Масс-анализ в автоионной микроскопии» 107 657–683 (1972)
  14. В.А. Цукерман, Л.В. Тарасова, С.И. Лобов «Новые источники рентгеновских лучей» 103 319–337 (1971)
  15. Э.М. Надгорный «Свойства нитевидных кристаллов» 77 201–227 (1962)
  16. Ю.А. Изюмов, Э.З. Курмаев «Материалы с сильными электронными корреляциями» 178 25–60 (2008)
  17. Э.Л. Нагаев «Малые металлические частицы» 162 (9) 49–124 (1992)
  18. Н.В. Волков «Спинтроника: магнитные туннельные структуры на основе манганитов» 182 263–285 (2012)
  19. А.В. Елецкий, А.А. Книжник и др. «Электрические характеристики полимерных композитов, содержащих углеродные нанотрубки» 185 225–270 (2015)
  20. Б.М. Смирнов «Металлические наноструктуры: от кластеров к нанокатализу и сенсорам» 187 1329–1364 (2017)

Список формируется автоматически.

© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение