RSS-ленты
РусскийEnglish
Выпуск 4, 2024
Том год страница
Выпуски Авторы PACS Подписчикам Для авторов

Выпуски

 / 

2006

 / 

Сентябрь

←  →

Обзоры актуальных проблем


Создание наноструктур германия и кремния с помощью зонда сканирующего туннельного микроскопа

 а, б,  б
а Институт физики полупроводников СО РАН, просп. Ак. Лаврентьева 13, Новосибирск, 630090, Российская Федерация
б Quantum-Phase Electronics Center, Department of Applied Physics, The University of Tokyo and Japan Science and Technology Agency, CREST, 7-3-1 Hongo, Tokyo, 113-8656, Japan

Рассмотрено состояние исследований по созданию наноструктур на поверхностях полупроводников с помощью зонда сканирующего туннельного микроскопа (СТМ). Анализируется процесс непрерывного переноса атомов при направленной поверхностной диффузии под действием электрического поля СТМ в условиях испарения поверхностных атомов полем. Исследуется влияние облучения внешним электронным пучком на взаимодействие образца и зонда. Облучение создает условия как для уменьшения барьера для прямых межатомных реакций, так и для изменения направления переноса атомов между зондом и образцом. Показаны возможности создания наноструктур, таких, как островки и линии германия и кремния, а также окон кремния на окисленной поверхности кремния.

Текст pdf (911 Кб)
English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU2006v049n09ABEH006070
PACS: 68.37.Ef, 79.70.+q, 81.16.Ta (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0176.200609a.0913
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2006/9/a/
000243785700001
2-s2.0-33846649562
2006PhyU...49..887S
Цитата: Шкляев А А, Ичикава М "Создание наноструктур германия и кремния с помощью зонда сканирующего туннельного микроскопа" УФН 176 913–930 (2006)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Shklyaev A A, Ichikawa M “Fabrication of germanium and silicon nanostructures using a scanning tunneling microscope” Phys. Usp. 49 887–903 (2006); DOI: 10.1070/PU2006v049n09ABEH006070

Список литературы (79) ↓ Статьи, ссылающиеся на эту (8) Похожие статьи (20)

  1. Леденцов Н Н и др. ФТП 32 385 (1998)
  2. Пчеляков О П и др. ФТП 34 1281 (2000)
  3. Bimberg D, Grundmann M, Ledentsov N N Quantum Dot Heterostructures (Chichester: John Wiley & Sons, 1999)
  4. Валиев К А УФН 175 3 (2005); Valiev K A Phys. Usp. 48 1 (2005)
  5. Brunner K Rep. Prog. Phys. 65 27 (2002)
  6. Drucker J IEEE J. Quantum Electron. 38 975 (2002)
  7. Stangl J, Holý V, Bauer G Rev. Mod. Phys. 76 725 (2004)
  8. Schmidt O G et al. Appl. Phys. Lett. 71 2340 (1997)
  9. Peng C S et al. Phys. Rev. B 57 8805 (1998)
  10. Shklyaev A A, Shibata M, Ichikawa M Phys. Rev. B 62 1540 (2000)
  11. Shklyaev A A, Ichikawa M Phys. Rev. B 65 045307 (2002)
  12. Binnig G et al. Phys. Rev. Lett. 50 120 (1983)
  13. Stroscio J A, Eigler D M Science 254 1319 (1991)
  14. Avouris Ph Acc. Chem. Res. 28 95 (1995)
  15. Tseng A A, Notargiacomo A, Chen T P J. Vac. Sci. Technol. B 23 877 (2005)
  16. Crommie M F, Lutz C P, Eigler D M Science 262 218 (1993)
  17. Hla S-W J. Vac. Sci. Technol. B 23 1351 (2005)
  18. Eigler D M, Schweizer E K Nature 344 524 (1990)
  19. Bartels L, Meyer G, Rieder K-H Phys. Rev. Lett. 79 697 (1997)
  20. Hla S-W, Braun K-F, Rieder K-H Phys. Rev. B 67 201402(R) (2003)
  21. Bouju X, Joachim C, Girard C Phys. Rev. B 59 R7845 (1999)
  22. Kühnle A et al. Surf. Sci. 499 15 (2002)
  23. Eigler D M, Lutz C P, Rudge W E Nature 352 600 (1991)
  24. Walkup R E, Newns D M, Avouris Ph Phys. Rev. B 48 1858 (1993)
  25. Shen T-C et al. Science 268 1590 (1995)
  26. Gao S, Persson M, Lundqvist B I Phys. Rev. B 55 4825 (1997)
  27. Stroscio J A, Celotta R J Science 306 242 (2004)
  28. Lyo I-W, Avouris Ph Science 253 173 (1991)
  29. Salling C T, Lagally M G Science 265 502 (1994)
  30. Uchida H et al. Phys. Rev. Lett. 70 2040 (1993)
  31. Tsong T T Phys. Rev. B 44 13703 (1991)
  32. Kobayashi A et al. Science 259 1724 (1993)
  33. Dujardin G et al. Phys. Rev. Lett. 80 3085 (1998)
  34. Ichimiya A, Tanaka Y, Hayashi K Surf. Rev. Lett. 5 821 (1998)
  35. Heike S, Hashizume T, Wada Y J. Appl. Phys. 80 4182 (1996)
  36. Shklyaev A A, Shibata M, Ichikawa M Appl. Phys. Lett. 74 2140 (1999)
  37. Shklyaev A A, Shibata M, Ichikawa M J. Appl. Phys. 88 1397 (2000)
  38. Shklyaev A A, Shibata M, Ichikawa M Surf. Sci. 447 149 (2000)
  39. Shklyaev A A, Shibata M, Ichikawa M J. Vac. Sci. Technol. B 19 103 (2001)
  40. Shklyaev A A, Shibata M, Ichikawa M J. Vac. Sci. Technol. B 18 2339 (2000)
  41. Shklyaev A A, Ichikawa M Jpn. J. Appl. Phys. 40 3370 (2001)
  42. Voigtländer B, Zinner A Appl. Phys. Lett. 63 3055 (1993)
  43. Shklyaev A A, Shibata M, Ichikawa M Surf. Sci. 416 192 (1998)
  44. Chang C S , Su W B, Tsong T T Phys. Rev. Lett. 72 574 (1994)
  45. Fujita D, Jiang Q, Nejoh H J. Vac. Sci. Technol. B 14 3413 (1996)
  46. Samara D et al. J. Vac. Sci. Technol. B 14 1344 (1996)
  47. Rauscher H, Behrendt F, Behm R J J. Vac. Sci. Technol. B 15 1373 (1997)
  48. Lyubinetsky I et al. J. Vac. Sci. Technol. A 17 1445 (1999)
  49. Schöffel U R, Rauscher H, Behm R J Appl. Phys. Lett. 83 3794 (2003)
  50. Tsong T T, Kellogg G Phys. Rev. B 12 1343 (1975)
  51. Kandel D, Kaxiras E Phys. Rev. Lett. 76 1114 (1996)
  52. Simmons J G J. Appl. Phys. 34 1793 (1963)
  53. Binnig G, Rohrer H Surf. Sci. 126 236 (1983)
  54. Fu E S et al. Surf. Sci. 385 259 (1997)
  55. Whitman L J et al. Science 251 1206 (1991)
  56. Heskett D et al. J. Vac. Sci. Technol. B 7 915 (1989)
  57. Becker R S, Golovchenko J A, Swartzentruber B S Nature 325 419 (1987)
  58. Shklyaev A A, Shibata M, Ichikawa M Phys. Rev. B 58 15647 (1998)
  59. Ma Z L et al. J. Vac. Sci. Technol. B 13 1212 (1995)
  60. Shibata M et al. Appl. Phys. Lett. 73 2179 (1998)
  61. Li N, Yoshinobu T, Iwasaki H Jpn. J. Appl. Phys. 37 L995 (1998)
  62. Ito T et al. Jpn. J. Appl. Phys. 40 6055 (2001)
  63. Fujita S et al. Appl. Phys. Lett. 69 638 (1996)
  64. Park K-H et al. Jpn. J. Appl. Phys. 39 4629 (2000)
  65. Yasuda T et al. Phys. Rev. Lett. 87 037403 (2001)
  66. Miyata N, Watanabe H, Ichikawa M Phys. Rev. Lett. 84 1043 (2000)
  67. Shklyaev A A, Ichikawa M Surf. Sci. 514 19 (2002)
  68. Hla S-W et al. Nano 4 1997 (2004)
  69. Lyding J W et al. Appl. Phys. Lett. 64 2010 (1994)
  70. Shen T-C, Wang C, Tucker J R Phys. Rev. Lett. 78 1271 (1997)
  71. Tsong T T, Chang C-S Jpn. J. Appl. Phys. 34 3309 (1995)
  72. Girard C, Bouju X, Joachim C Chem. Phys. 168 203 (1992)
  73. Stokbro K et al. Phys. Rev. Lett. 80 2618 (1998)
  74. Pizzagalli L, Baratoff A Phys. Rev. B 68 115427 (2003)
  75. Johnson K E, Engel T Phys. Rev. Lett. 69 339 (1992)
  76. Fujita K, Watanabe H, Ichikawa M J. Appl. Phys. 83 4091 (1998)
  77. Fujita S et al. J. Vac. Sci. Technol. A 15 1493 (1997)
  78. Shklyaev A A, Shibata M, Ichikawa M Appl. Phys. Lett. 72 320 (1998)
  79. Shklyaev A A, Ichikawa M J. Vac. Sci. Technol. B 24 739 (2006)
© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение