Рассмотрено состояние исследований по созданию наноструктур на поверхностях полупроводников с помощью зонда сканирующего туннельного микроскопа (СТМ). Анализируется процесс непрерывного переноса атомов при направленной поверхностной диффузии под действием электрического поля СТМ в условиях испарения поверхностных атомов полем. Исследуется влияние облучения внешним электронным пучком на взаимодействие образца и зонда. Облучение создает условия как для уменьшения барьера для прямых межатомных реакций, так и для изменения направления переноса атомов между зондом и образцом. Показаны возможности создания наноструктур, таких, как островки и линии германия и кремния, а также окон кремния на окисленной поверхности кремния.

PACS: 68.37.Ef, 79.70.+q, 81.16.Ta (все) DOI: 10.3367/UFNr.0176.200609a.0913 URL: https://ufn.ru/ru/articles/2006/9/a/ 000243785700001 2-s2.0-33846649562 2006PhyU...49..887S Цитата: Шкляев А А, Ичикава М "Создание наноструктур германия и кремния с помощью зонда сканирующего туннельного микроскопа" УФН 176 913–930 (2006) BibTexBibNote ® (generic) BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks Русский English TY JOUR TI Создание наноструктур германия и кремния с помощью зонда сканирующего туннельного микроскопа AU Шкляев, А. А. AU Ичикава, М. PB Успехи физических наук PY 2006 JO Успехи физических наук JF Успехи физических наук JA Усп. физ. наук VL 176 IS 9 SP 913-930 UR https://ufn.ru/ru/articles/2006/9/a/ ER https://doi.org/10.3367/UFNr.0176.200609a.0913 English citation: Shklyaev A A, Ichikawa M “Fabrication of germanium and silicon nanostructures using a scanning tunneling microscope” Phys. Usp. 49 887–903 (2006); DOI: 10.1070/PU2006v049n09ABEH006070