Выпуски

 / 

2002

 / 

ноябрь

←  →

Методические заметки


Химическая локализация


Институт физики твердого тела имени Ю.А. Осипьяна РАН, ул. Академика Осипьяна 2, Черноголовка, Московская обл., 142432, Российская Федерация

На основании анализа экспериментальных данных показано, что, несмотря на большую концентрацию валентных электронов, в системах, состоящих только из атомов металлических элементов, в принципе возможен переход металл – изолятор. Для того чтобы такой переход произошел, должны возникнуть устойчивые конфигурации атомов, которые бы служили глубокими потенциальными ямами-ловушками для валентных электронов, захватывающими десятки электронов каждая. По существу это означает распад трехмерной металлической среды на систему одинаковых квантовых точек. В зависимости от параметров в этой системе либо появляются делокализованные электроны (металл), либо нет (изолятор). Уровень беспорядка — один из таких параметров. Обсуждаются два типа материалов с такими свойствами: жидкие бинарные сплавы двух металлических компонент и термодинамически стабильные квазикристаллы.

Текст pdf (338 Кб)
English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU2002v045n11ABEH001246
PACS: 71.23.−k, 71.30.+h, 72.15.Rn (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0172.200211d.1283
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2002/11/d/
000181345500004
Цитата: Гантмахер В Ф "Химическая локализация" УФН 172 1283–1293 (2002)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Gantmakher V F “Chemical localization” Phys. Usp. 45 1165–1174 (2002); DOI: 10.1070/PU2002v045n11ABEH001246

Список литературы (28) Статьи, ссылающиеся на эту (34) Похожие статьи (20) ↓

  1. М.А. Черников «Упругие свойства икосаэдрических и декагональных квазикристаллов» УФН 175 437–443 (2005)
  2. С.В. Сазонов «Сверхсветовые электромагнитные солитоны в неравновесных средах» УФН 171 663–677 (2001)
  3. Г.В. Шпатаковская «Квазиклассический метод анализа и оценки орбитальных энергий связи в многоэлектронных атомах и ионах» УФН 189 195–206 (2019)
  4. Б.И. Стурман «Баллистический и сдвиговый токи в теории фотогальванического эффекта» УФН 190 441–445 (2020)
  5. Б.И. Стурман «Как выглядит интеграл столкновений для упругого рассеяния электронов и фононов» УФН 144 497–503 (1984)
  6. А.В. Шепелев «Возможно ли увеличение яркости излучения в неинверсной среде?» УФН 169 213–215 (1999)
  7. Б.Л. Иоффе «Природа массы и эксперименты на будущих ускорителях частиц высоких энергий» УФН 176 1103–1104 (2006)
  8. А.П. Потылицын, А.В. Вуколов и др. «Рентгеновское черенковское излучение вблизи края фотопоглощения» УФН 195 1340–1355 (2025)
  9. Б.Г. Конопельченко, Ю.Б. Румер «Атомы и адроны (Проблемы классификации)» УФН 129 339–345 (1979)
  10. В.Г. Веселаго «О формулировке принципа Ферма для света, распространяющегося в веществах с отрицательным преломлением» УФН 172 1215–1218 (2002)
  11. Л.И. Антонов «Макроскопическое представление поля вектора намагниченности магнетика» УФН 173 1241–1245 (2003)
  12. Л.И. Уруцкоев, Д.В. Филиппов «Условия β-стабильности ядер нейтральных атомов» УФН 174 1355–1358 (2004)
  13. В.С. Вавилов, П.К. Эфимиу, Дж.Е. Зардас «Долговременная релаксация неравновесной фотопроводимости в полупроводниковых соединениях типа АIIIВV» УФН 169 209–212 (1999)
  14. М.А. Микаэлян «Методические вопросы термодинамики диэлектриков» УФН 168 1331–1339 (1998)
  15. Б.Н. Швилкин «Об измерении дебаевского радиуса в неустойчивой газоразрядной плазме» УФН 168 575–576 (1998)
  16. Э.Л. Нолле «Туннельный механизм фотоэффекта в активированных цезием и кислородом металлических наночастицах» УФН 177 1133–1137 (2007)
  17. А.П. Виноградов, А.В. Дорофеенко, С. Зухди «К вопросу об эффективных параметрах метаматериалов» УФН 178 511–518 (2008)
  18. В.С. Запасский «Об электромагнитно-индуцированной прозрачности в вырожденной Λ-схеме» УФН 179 197–199 (2009)
  19. Э.Г. Батыев «Парамагнетизм Паули и диамагнетизм Ландау» УФН 179 1333–1334 (2009)
  20. Б.А. Клумов «О критериях плавления комплексной плазмы» УФН 180 1095–1108 (2010)

Список формируется автоматически.

© Успехи физических наук, 1918–2026
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение