Выпуски

 / 

2002

 / 

Ноябрь

  

Методические заметки


Химическая локализация


Институт физики твердого тела имени Ю.А. Осипьяна РАН, ул. Академика Осипьяна 2, Черноголовка, Московская обл., 142432, Российская Федерация

На основании анализа экспериментальных данных показано, что, несмотря на большую концентрацию валентных электронов, в системах, состоящих только из атомов металлических элементов, в принципе возможен переход металл-изолятор. Для того чтобы такой переход произошел, должны возникнуть устойчивые конфигурации атомов, которые бы служили глубокими потенциальными ямами-ловушками для валентных электронов, захватывающими десятки электронов каждая. По существу это означает распад трехмерной металлической среды на систему одинаковых квантовых точек. В зависимости от параметров в этой системе либо появляются делокализованные электроны (металл), либо нет (изолятор). Уровень беспорядка — один из таких параметров. Обсуждаются два типа материалов с такими свойствами: жидкие бинарные сплавы двух металлических компонент и термодинамически стабильные квазикристаллы.

Текст pdf (338 Кб)
English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU2002v045n11ABEH001246
PACS: 71.23.−k, 71.30.+h, 72.15.Rn (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0172.200211d.1283
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2002/11/d/
000181345500004
Цитата: Гантмахер В Ф "Химическая локализация" УФН 172 1283–1293 (2002)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Gantmakher V F “Chemical localizationPhys. Usp. 45 1165–1174 (2002); DOI: 10.1070/PU2002v045n11ABEH001246

Список литературы (28) ↓ Статьи, ссылающиеся на эту (26) Похожие статьи (4)

  1. Anderson P W Phys. Rev. 109 1492 (1958)
  2. Mott N F Metal - Insulator Transitions 2nd ed. (London: Taylor & Francis, 1990); Русск. перевод 1-го изд., Мотт Н Ф Переходы металл - изолятор (М.: Наука, 1979)
  3. Edwards P P, Sienko M J Phys. Rev. B 17 2575 (1978)
  4. Mooij J H Phys. Status Solidi A 17 521 (1973)
  5. Hensel F Adv. Phys. 28 555 (1979)
  6. van der Lugt W, Geerstma W Can. J. Phys. 65 326 (1987)
  7. Schmutzler R W et al. Ber. Bunsenges. Phys. Chem. 80 107 (1976)
  8. Calaway W F, Saboungi M-L J. Phys. F 13 1213 (1983)
  9. Meijer J A, Vinke G J B, van der Lugt W J. Phys. F 16 845 (1986)
  10. Xu R, de Jonge T, van der Lugt W Phys. Rev. B 45 12788 (1992)
  11. van der Lugt W Phys. Scripta T39 372 (1991)
  12. Hoshino H, Schmutzler R W, Hensel F Phys. Lett. A 51 7 (1975)
  13. Шкловский Б И, Эфрос А Л Электронные свойства легированных полупроводников (М.: Наука, 1979)
  14. Лифшиц И М УФН 83 617 (1964)
  15. Ziman J M Philos. Mag. 6 1013 (1961)
  16. Ching W Y, Huber D L Phys. Rev. B 25 1096 (1982)
  17. de Heer W A et al. Solid State Physics Vol. 40 (Eds F Seitz, D Turnbull) (New York: Academic Press, 1987) p. 93
  18. Stadnik Z M (Ed.) Physical Properties of Quasicrystals (Springer Series in Solid-State Sciences, Vol. 126) (Berlin: Springer, 1999)
  19. Goldman A I, Kelton R F Rev. Mod. Phys. 65 213 (1993)
  20. Janot C Phys. Rev. B 53 181 (1996)
  21. Wang C-R, Lin S-T J. Phys. Soc. Jpn. 68 3988 (1999)
  22. Wang C-R, Su T-I, Lin S-T J. Phys. Soc. Jpn. 69 3356 (2000)
  23. Delahaye J, Berger C Phys. Rev. B 64 094203 (2001)
  24. Altshuler B L, Aronov A G Electron - Electron Interactions in Disordered Systems (Modern Problems in Condensed Matter Sciences, Vol. 10, Eds A L Efros, M Pollak) (Amsterdam: North-Holland, 1985) p. 1
  25. Imry Y J. Appl. Phys. 52 1817 (1981)
  26. Гантмахер В Ф и др. ЖЭТФ 103 1460 (1993)
  27. Wang C R et al. J. Phys. Soc. Jpn. 67 2383 (1998)
  28. Abeles B et al. Adv. Phys. 24 407 (1975)

© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение