Выпуски

 / 

2001

 / 

Август

  

Обзоры актуальных проблем


Поверхность β-SiC (100): атомная структура и электронные свойства


Институт физики твердого тела РАН, ул. Академика Осипьяна 2, Черноголовка, Московская обл., 142432, Российская Федерация

Цель данного обзора — собрать воедино и показать современное состояние исследований, касающихся состава, атомной и электронной структуры, а также электронных свойств различных сверхструктур, обнаруженных недавно на чистой β-SiC(100) поверхности. В течение последних 10 лет наблюдался значительный прогресс в экспериментальных и теоретических исследованиях чистой поверхности β-SiC(100): были выявлены и изучены различные поверхностные реконструкции, обнаружено контролируемое формирование прямых, очень длинных и высокостабильных линий кремниевых димеров, самоорганизующихся на поверхности β-SiC(100). Расстояние между этими линиями определяется временем и температурой отжига. Однако многие детали (состав, модели элементарных ячеек и т.п.) все еще являются предметом обсуждений.

Текст: pdf
Войдите или зарегистрируйтесь чтобы получить доступ к полным текстам статей.
English fulltext is available at IOP
PACS: 68.35.Rh, 68.65.+g, 71.10.Pm, 73.61.−r (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0171.200108a.0801
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2001/8/a/
Цитата: Аристов В Ю "Поверхность β-SiC (100): атомная структура и электронные свойства" УФН 171 801–826 (2001)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Aristov V Yu “β-SiC(100) surface: atomic structures and electronic propertiesPhys. Usp. 44 761–783 (2001); DOI: 10.1070/PU2001v044n08ABEH000979

Список литературы (94) Статьи, ссылающиеся на эту (23) Похожие статьи (20) ↓

  1. А.В. Елецкий «Углеродные нанотрубки» 167 945–972 (1997)
  2. Ю.В. Гуляев, И.Е. Дикштейн, В.Г. Шавров «Поверхностные магнитоакустические волны в магнитных кристаллах в области ориентационных фазовых переходов» 167 735–750 (1997)
  3. В.М. Розенбаум, В.М. Огенко, А.А. Чуйко «Колебательные и ориентационные состояния поверхностных групп атомов» 161 (10) 79–119 (1991)
  4. А.А. Шкляев, М. Ичикава «Создание наноструктур германия и кремния с помощью зонда сканирующего туннельного микроскопа» 176 913–930 (2006)
  5. С.А. Ахманов, В.И. Емельянов и др. «Воздействие мощного лазерного излучения на поверхность полупроводников и металлов: нелинейно-оптические эффекты и нелинейно-оптическая диагностика» 147 675–745 (1985)
  6. А.Е. Грищенко, А.Н. Черкасов «Ориентационный порядок в поверхностных слоях полимерных материалов» 167 269–285 (1997)
  7. Р.З. Бахтизин, Ч.-Ж. Щуе и др. «Сканирующая туннельная микроскопия гетероэпитаксиального роста пленок III-нитридов» 174 383–405 (2004)
  8. П.Б. Сорокин, Л.А. Чернозатонский «Полупроводниковые наноструктуры на основе графена» 183 113–132 (2013)
  9. М.В. Харламова «Электронные свойства одностенных углеродных нанотрубок и их производных» 183 1145–1174 (2013)
  10. Ф.Ф. Комаров «Нано- и микроструктурирование твёрдых тел быстрыми тяжёлыми ионами» 187 465–504 (2017)
  11. А.В. Елецкий «Эндоэдральные структуры» 170 113–142 (2000)
  12. А.В. Елецкий «Сорбционные свойства углеродных наноструктур» 174 1191–1231 (2004)
  13. А.В. Елецкий «Механические свойства углеродных наноструктур и материалов на их основе» 177 233–274 (2007)
  14. А.В. Елецкий, Б.М. Смирнов «Фуллерены и структуры углерода» 165 977–1009 (1995)
  15. А.В. Елецкий, И.М. Искандарова и др. «Графен: методы получения и теплофизические свойства» 181 233–268 (2011)
  16. Б.А. Тавгер, В.Я. Демиховский «Квантовые размерные эффекты в полупроводниковых и полуметаллических пленках» 96 61–86 (1968)
  17. Г.Н. Макаров «Применение лазеров в нанотехнологии: получение наночастиц и наноструктур методами лазерной абляции и лазерной нанолитографии» 183 673–718 (2013)
  18. П.Ж. де Жен «Смачивание: статика и динамика» 151 619–681 (1987)
  19. Ю.Б. Болховитянов, О.П. Пчеляков, С.И. Чикичев «Кремний-германиевые эпитаксиальные пленки: физические основы получения напряженных и полностью релаксированных гетероструктур» 171 689–715 (2001)
  20. А.В. Елецкий «Углеродные нанотрубки и их эмиссионные свойства» 172 401–438 (2002)

Список формируется автоматически.

© Успехи физических наук, 1918–2021
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение