Выпуски

 / 

2001

 / 

Август

  

Обзоры актуальных проблем


Поверхность β-SiC (100): атомная структура и электронные свойства


Институт физики твердого тела РАН, ул. Академика Осипьяна 2, Черноголовка, Московская обл., 142432, Российская Федерация

Цель данного обзора — собрать воедино и показать современное состояние исследований, касающихся состава, атомной и электронной структуры, а также электронных свойств различных сверхструктур, обнаруженных недавно на чистой β-SiC(100) поверхности. В течение последних 10 лет наблюдался значительный прогресс в экспериментальных и теоретических исследованиях чистой поверхности β-SiC(100): были выявлены и изучены различные поверхностные реконструкции, обнаружено контролируемое формирование прямых, очень длинных и высокостабильных линий кремниевых димеров, самоорганизующихся на поверхности β-SiC(100). Расстояние между этими линиями определяется временем и температурой отжига. Однако многие детали (состав, модели элементарных ячеек и т.п.) все еще являются предметом обсуждений.

Текст: pdf
Войдите или зарегистрируйтесь чтобы получить доступ к полным текстам статей.
English fulltext is available at IOP
PACS: 68.35.Rh, 68.65.+g, 71.10.Pm, 73.61.−r (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0171.200108a.0801
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2001/8/a/
Цитата: Аристов В Ю "Поверхность β-SiC (100): атомная структура и электронные свойства" УФН 171 801–826 (2001)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Aristov V Yu “β-SiC(100) surface: atomic structures and electronic propertiesPhys. Usp. 44 761–783 (2001); DOI: 10.1070/PU2001v044n08ABEH000979

Список литературы (94) Статьи, ссылающиеся на эту (23) ↓ Похожие статьи (20)

  1. Yang J, Peng Yu, Yang B Journal of Dispersion Science and Technology 40 408 (2019)
  2. Chaika A N, Aristov V Y et al Handbook of Graphene 1 (2019) p. 117
  3. Aristov V Yu, Chaika A N et al ACS Nano 13 526 (2019)
  4. V M O, N Ch A, Yu A V Silicon Materials Chapter 7 (2019)
  5. Yang J, Peng Yu et al Mater. Res. Express 5 085511 (2018)
  6. Chaika A N, Aristov V Yu, Molodtsova O V Progress in Materials Science 89 1 (2017)
  7. Wang D, Guo Zh et al Catalysis Communications 61 53 (2015)
  8. Kuzubov A A, Eliseeva N S et al Phys. Solid State 56 1654 (2014)
  9. Peng Yu, Guo Zh et al J. Mater. Chem. A 2 6296 (2014)
  10. Kuzubov A A, Eliseeva N S et al Russ. J. Phys. Chem. 86 1091 (2012)
  11. Abe Sh, Handa H et al Jpn. J. Appl. Phys. 50 070102 (2011)
  12. Konopka A, Greulich-Weber S et al MRS Proc. 1322 (2011)
  13. Abe Sh, Handa H et al Jpn. J. Appl. Phys. 50 070102 (2011)
  14. Konopka A, Aşik B et al IOP Conf. Ser.: Mater. Sci. Eng. 15 012013 (2010)
  15. Trabada D G, Flores F, Ortega J Phys. Rev. B 80 (7) (2009)
  16. Larina E V, Chmyrev V I et al Inorg Mater 44 823 (2008)
  17. Catellani A, Cicero G J. Phys. D: Appl. Phys. 40 6215 (2007)
  18. Belousov V V Russ. J. Phys. Chem. 81 441 (2007)
  19. Kasatkin S I, Murav?jev A M et al Russ Microelectron 34 47 (2005)
  20. Taskin A N, Udodov V N, Potekaev A I Russ Phys J 48 873 (2005)
  21. Peng X, Ye L, Wang X Surface Science 548 51 (2004)
  22. Bermudez V M Surface Science 540 255 (2003)
  23. Ostendorf R, Benesch C et al Phys. Rev. B 66 (24) (2002)

© Успехи физических наук, 1918–2021
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение