Выпуски

 / 

2001

 / 

Август

  

Обзоры актуальных проблем


Поверхность β-SiC (100): атомная структура и электронные свойства


Институт физики твердого тела РАН, ул. Академика Осипьяна 2, Черноголовка, Московская обл., 142432, Российская Федерация

Цель данного обзора — собрать воедино и показать современное состояние исследований, касающихся состава, атомной и электронной структуры, а также электронных свойств различных сверхструктур, обнаруженных недавно на чистой β-SiC(100) поверхности. В течение последних 10 лет наблюдался значительный прогресс в экспериментальных и теоретических исследованиях чистой поверхности β-SiC(100): были выявлены и изучены различные поверхностные реконструкции, обнаружено контролируемое формирование прямых, очень длинных и высокостабильных линий кремниевых димеров, самоорганизующихся на поверхности β-SiC(100). Расстояние между этими линиями определяется временем и температурой отжига. Однако многие детали (состав, модели элементарных ячеек и т.п.) все еще являются предметом обсуждений.

Текст: pdf
Войдите или зарегистрируйтесь чтобы получить доступ к полным текстам статей.
English fulltext is available at IOP
PACS: 68.35.Rh, 68.65.+g, 71.10.Pm, 73.61.−r (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0171.200108a.0801
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2001/8/a/
Цитата: Аристов В Ю "Поверхность β-SiC (100): атомная структура и электронные свойства" УФН 171 801–826 (2001)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Aristov V Yu “β-SiC(100) surface: atomic structures and electronic propertiesPhys. Usp. 44 761–783 (2001); DOI: 10.1070/PU2001v044n08ABEH000979

Список литературы (94) ↓ Статьи, ссылающиеся на эту (23) Похожие статьи (20)

  1. Tairov Yu M Mat. Sci. Eng. B 29 83 (1995)
  2. Choyke W J, Matsunami H, Pensl G (Eds) Silicon Carbide. A Review of Fundamental Questions and Applications to Current Device Technology Vol. 1, 2 (Berlin: Akademie Verlag, 1998)
  3. "Silicon Carbide Electronic Devices and Materials" Mater. Res. Soc. Bull. 22 (1997)
  4. "Silicon Carbide Electronic Devices" IEEE Trans. Electron Dev. 46 (Special Issue) (1999)
  5. "Proceedings of the 2nd European Conference on Silicon Carbide and Related Materials" Mat. Sci. Eng. B 61-62 (1999); "Proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials" Mat. Sci. Forum 338-342 (1999); Proceedings of the 3nd European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, в печати
  6. Nanotechnology Research Direction, Vision for Nanotechnology R&D in the Next Decade, National Science and Technology Council. Interagency Working Group on Nanoscience, Engineering and Technology, Workshop report (1999)
  7. Timp G (Ed.) Nanotechnology (New York: AIP Press, Springer, 1999)
  8. Stroscio J A, Eigler D M Science 254 319 (1991)
  9. Dyan M J. Vac. Sci. Technol. A 3 361 (1985); Dyan M J. Vac. Sci. Technol. A 4 38 (1986)
  10. Bellina J J, Ferrante J, Zeller M V J. Vac. Sci. Technol. A 4 1692 (1986)
  11. Kaplan R, Parrill T M Surf. Sci. 165 L45 (1986)
  12. Hara S et al. Surf. Sci. 231 L196 (1990)
  13. Powers J M et al. Surf. Sci. 260 L7 (1992)
  14. Wenchang L, Weidong Y, Kaiming Z J. Phys. Condens. Matter 3 9079 (1991)
  15. Carter S J N Solid State Commun. 72 671 (1989)
  16. Craig B I, Smith P V Surf. Sci. 233 255 (1990)
  17. Mehandru S P, Anderson A B Phys. Rev. B 42 9040 (1990)
  18. Badziag P Phys. Rev. B 44 11143 (1991)
  19. Yan H, Hu X, Jonsson H Surf. Sci. 316 181 (1994)
  20. Hu X et al. J. Phys. Condens. Matter 7 1069 (1995)
  21. Halicioglu T Phys. Rev. B 51 7217 (1995)
  22. Gutierrez R et al. Phys. Rev. B 60 1771 (1999)
  23. Sabisch M et al. Phys. Rev. B 53 13121 (1996)
  24. Käckell P, Furthmuller J, Bechstedt F Surf. Sci. 352-354 55 (1996)
  25. Catellani A, Galli G, Gygi F Phys. Rev. Lett. 77 5090 (1996)
  26. Kaplan R Surf. Sci. 215 111 (1989); Kaplan R J. Vac. Sci. Technol. A 6 829 (1988)
  27. Shek M L Surf. Sci. 349 317 (1996)
  28. Semond F Thése de Doctorat (Orsay: Universite de Paris-XI, 1996)
  29. Soukiassian P et al. Phys. Rev. Lett. 78 907 (1997)
  30. Douillard L, Semond F, Aristov V Yu et al. Mat. Sci. Forum 264-268 379 (1998)
  31. Catellani A et al. Phys. Rev. B 57 12255 (1998)
  32. Lu W, Krüger P, Pollmann J Phys. Rev. Lett. 81 2292 (1998)
  33. Yoshinobu T et al. Appl. Phys. Lett. 59 2844 (1991)
  34. Soukiassian P, Aristov V Yu, Douillard L et al. Phys. Rev. Lett. 82 3721 (1999); Comment, Lu W, Krüger P, Pollmann J Phys. Rev. Lett. 82 3722 (1999)
  35. Aristov V Yu et al. Phys. Rev. B 60 16553 (1999)
  36. Joyce J J, Del Giudice M, Weaver J H J. Electron Spectrosc. Related Phenomena 49 31 (1989)
  37. Landemark E et al. Phys. Rev. Lett. 69 1588 (1992)
  38. Yeom H W et al. Phys. Rev. B 56 R15525 (1997); Yeom H W Surf. Sci. 433 392 (1999)
  39. Johansson L I, Owman F, Martensson P Phys. Rev. B 53 13793 (1996)
  40. Tromp R M, Smeenk R G, Saris F W Surf. Sci. 133 137 (1983)
  41. Derycke V Thése de Doctorat (Orsay: Universite de Paris-XI, 2000)
  42. Aristov V Yu et al. Phys. Rev. Lett. 79 3700 (1997)
  43. Aristov V Yu et al. Omicron Newsletter 1 4 (1997)
  44. Lu W, Krüger P, Pollmann J Phys. Rev. B 61 2680 (2000)
  45. Catellani A, Galli G, Gygi F Appl. Phys. Lett. 72 1902 (1998)
  46. Bermudez V M Phys. Status Solidi B 202 447 (1997)
  47. Kaplan R, Bermudez V Properties of Silicon Carbide (EMIS Datareview Series, Vol. 13, Ed. G Harris, 1995) p. 101
  48. Soukiassian P, Semond F J. Physique IV Colloque 7 (C6) 101 (1997)
  49. Pollmann J, Krüger P, Sabisch M Phys. Status Solidi B 202 421 (1997)
  50. Iijima S Nature 354 56 (1991)
  51. Walls J M, Smith R (Eds) Surface Science Techniques (Oxford: Pergamon Press, 1994)
  52. Douilard L, Fauchoux O, Aristov V, Soukiassian P Appl. Surf. Sci. 166 220 (2000)
  53. Enriquez H, Derycke V, Aristov V Yu et al. Appl. Surf. Sci. 162-163 559 (2000)
  54. Haldane F D M J. Phys. C 14 2585 (1981)
  55. Voit J Phys. Rev. B 47 6740 (1993)
  56. Starnberg H I, Hughes H P (Eds) Electron Spectroscopies Applied to Low-Dimensional Structures (Dordrecht: Kluwer Acad. Publ., 2000)
  57. Dardel B et al. Europhys. Lett. 24 687 (1983)
  58. Dardel B et al. Phys. Rev. Lett. 67 3144 (1991)
  59. Nakamura M et al. Phys. Rev. B 49 16191 (1994)
  60. Yan H, Smith A P, Jonsson H Surf. Sci. 330 265 (1995)
  61. Hara S et al. Surf. Sci. 357-358 436 (1996)
  62. Semond F et al. Phys. Rev. Lett. 77 2013 (1996)
  63. Lu W, Krüger P, Pollmann J Phys. Rev. B 60 2495 (1999)
  64. Lübbe M et al. J. Vac. Sci. Technol. A 16 3471 (1998)
  65. Yeom H W et al. Phys. Rev. B 58 10540 (1998)
  66. Yeom H W et al. Phys. Rev. B 61 R2417 (2000)
  67. Pizzagalli L et al. Phys. Rev. B 60 R5129 (1999)
  68. Shevlin S A, Fisher A J Appl. Surf. Sci. 162 94 (2000)
  69. Kitabatake M, Greene I E Appl. Phys. Lett. 69 2048 (1996); Kitabatake M, Greene I E Jpn. J. Appl. Phys. 35 5261 (1996)
  70. Douillard L, Aristov V Yu, Semond F, Soukiassian P Surf. Sci. Lett. 401 L395 (1998)
  71. Soukiassian P et al. Phys. Rev. Lett. 79 2498 (1997)
  72. Semond F, Aristov V Yu, Douillard L Mat. Sci. Forum 264-268 387 (1998)
  73. Aristov V Yu, Douillard L, Soukiassian P Surf. Sci. Lett. 440 L825 (1999)
  74. Bellina J J (Jr.), Zeller M V Appl. Surf. Sci. 25 380 (1986)
  75. Hara S et al. Surf. Sci. 273 437 (1992); Hara S et al. Thin Solid Films 225 240 (1993)
  76. Fuyuki T, Yoshinobu T, Matsunami H Thin Solid Films 225 225 (1993)
  77. Hasegawa S et al. Surf. Sci. 206 L851 (1988)
  78. Bermudez V M, Kaplan R Phys. Rev. B 44 11149 (1991)
  79. Powers J M et al. Phys. Rev. B 44 11159 (1991)
  80. Long J P, Bermudez V M, Ramaker D E Phys. Rev. Lett. 76 991 (1996)
  81. Yeom H W et al. Phys. Rev. Lett. 83 1640 (1999); Shimomura M et al. Surf. Sci. 438 237 (1999)
  82. Craig B I, Smith P V Surf. Sci. 276 174 (1992); Erratum, Craig B I, Smith P V Surf. Sci. 285 295 (1993)
  83. Badziag P Surf. Sci. 269-270 1152 (1992); Badziag P Diamond Relat. Mater. 1 285 (1992)
  84. Halicioglu T Thin Solid Films 286 184 (1996)
  85. Dyson A J, Smith P V Surf. Sci. 396 24 (1998)
  86. Craig B I, Smith P V Surf. Sci. 256 L609 (1991)
  87. Pollmann J et al. Mater. Sci. Forum 338-342 369 (2000)
  88. Pollmann J et al. Appl. Surf. Sci. 104-105 1 (1996)
  89. Käckell P, Furthmüller J, Bechstedt F Appl. Surf. Sci. 104-105 45 (1996)
  90. Käckell P et al. Phys. Rev. B 54 10304 (1996)
  91. Gutierrez R, Frauenheim Th Mat. Res. Soc. Symp. 423 427 (1996)
  92. Derycke V, Soukiassian P, Mayne A, Dujardin G Surf. Sci. Lett. 446 L101 (2000)
  93. Derycke V et al. Phys. Rev. Lett. 81 5868 (1998)
  94. Catellani A, Galli G, Rigolli P L Phys. Rev. B 62 R4794 (2000)

© Успехи физических наук, 1918–2021
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение