Цель данного обзора — собрать воедино и показать современное состояние исследований, касающихся состава, атомной и электронной структуры, а также электронных свойств различных сверхструктур, обнаруженных недавно на чистой β-SiC(100) поверхности. В течение последних 10 лет наблюдался значительный прогресс в экспериментальных и теоретических исследованиях чистой поверхности β-SiC(100): были выявлены и изучены различные поверхностные реконструкции, обнаружено контролируемое формирование прямых, очень длинных и высокостабильных линий кремниевых димеров, самоорганизующихся на поверхности β-SiC(100). Расстояние между этими линиями определяется временем и температурой отжига. Однако многие детали (состав, модели элементарных ячеек и т.п.) все еще являются предметом обсуждений.

@article{Aristov:2001,
	author = {В. Ю. Аристов},
	title = {Поверхность β-SiC (100): атомная структура и электронные свойства},
	publisher = {Успехи физических наук},
	year = {2001},
	journal = {Усп. физ. наук},
	volume = {171},
	number = {8},
	pages = {801-826},
	url = {https://ufn.ru/ru/articles/2001/8/a/},
	doi = {10.3367/UFNr.0171.200108a.0801}
}