Выпуски

 / 

2000

 / 

Февраль

  

Обзоры актуальных проблем


Метастабильные и бистабильные дефекты в кремнии

, ,
Физико-технический институт, Алматы, Казахстан

Анализируются известные к настоящему времени данные по свойствам и структуре метастабильных и бистабильных дефектов в кремнии. Рассматриваются первичные радиационные дефекты: вакансии, собственные междоузельные атомы и пары Френкеля, примесные комплексы, содержащие атомы кислорода, углерода, водорода и другие примесные атомы, а также дефекты с отрицательной корреляционной энергией.

Текст pdf (400 Кб)
English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU2000v043n02ABEH000649
PACS: 61.72.−y, 61.72.Tt, 61.80.−x, 71.55.−i (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0170.200002b.0143
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2000/2/b/
000086092900002
Цитата: Мукашев Б Н, Абдуллин Х А, Горелкинский Ю В "Метастабильные и бистабильные дефекты в кремнии" УФН 170 143–155 (2000)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)Medline RefWorks
Русский English
RT Journal
T1 Metastable and bistable defects in silicon
A1 Mukashev,B.N.
A1 Abdullin,Kh.A.
A1 Gorelkinskii,Yu.V.
PB Uspekhi Fizicheskikh Nauk
PY 2000
FD 10 Feb, 2000
JF Uspekhi Fizicheskikh Nauk
JO Usp. Fiz. Nauk
VO 170
IS 2
SP 143-155
DO 10.3367/UFNr.0170.200002b.0143
LK https://ufn.ru/ru/articles/2000/2/b/

English citation: Mukashev B N, Abdullin Kh A, Gorelkinskii Yu V “Metastable and bistable defects in siliconPhys. Usp. 43 139–150 (2000); DOI: 10.1070/PU2000v043n02ABEH000649

© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение