|
||||||||||||||||||
Перспективы создания источников излучения среднего ИК диапазона на основе внутризонных межуровневых переходов носителей заряда в инжекционных лазерных гетероструктурах с квантовыми точками и ямамиа Санкт-Петербургский государственный технический университет, радиофизический факультет, Санкт-Петербург, Российская Федерация б Донбасская государственная машиностроительная академия, ул. Шкадилова 76, Краматорск, 343913, Украина в Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Политехническая ул. 26, Санкт-Петербург, 194021, Российская Федерация г Санкт-Петербургский академический университет — научно-образовательный центр нанотехнологий РАН, ул. Хлопина 8, корп. 3, Санкт-Петербург, 194021, Российская Федерация д Vertically Integrated Systems (VI Systems GmbH), Hardenbergstr 7, Berlin, 10623, Germany Сессия РАН 16.12.1998
|
||||||||||||||||||
|