Перспективы создания источников излучения среднего ИК диапазона на основе внутризонных межуровневых переходов носителей заряда в инжекционных лазерных гетероструктурах с квантовыми точками и ямами
Л.Е. Воробьева,
Д.А. Фирсова,
В.А. Шалыгина,
В.Н. Тулупенкоб,
Н.Н. Леденцовв,г,д,
П.С. Копьевв,
В.М. Устиновв,
Ю.М. Шерняковв,
Ж.И. Алферовв аСанкт-Петербургский государственный технический университет, радиофизический факультет, Санкт-Петербург, Российская Федерация бДонбасская государственная машиностроительная академия, ул. Шкадилова 76, Краматорск, 343913, Украина вФизико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Политехническая ул. 26, Санкт-Петербург, 194021, Российская Федерация гСанкт-Петербургский академический университет — научно-образовательный центр нанотехнологий РАН, ул. Хлопина 8, корп. 3, Санкт-Петербург, 194021, Российская Федерация дVertically Integrated Systems (VI Systems GmbH), Hardenbergstr 7, Berlin, 10623, Germany
Сессия РАН 16.12.1998
PACS:01.10.Fv DOI:10.3367/UFNr.0169.199904g.0459 URL: https://ufn.ru/ru/articles/1999/4/g/ 000080487700007 Цитата: Воробьев Л Е, Фирсов Д А, Шалыгин В А, Тулупенко В Н, Леденцов Н Н, Копьев П С, Устинов В М, Шерняков Ю М, Алферов Ж И "Перспективы создания источников излучения среднего ИК диапазона на основе внутризонных межуровневых переходов носителей заряда в инжекционных лазерных гетероструктурах с квантовыми точками и ямами" УФН169 459–464 (1999)