Выпуски

 / 

1999

 / 

Апрель

  

Конференции и симпозиумы


Перспективы создания источников излучения среднего ИК диапазона на основе внутризонных межуровневых переходов носителей заряда в инжекционных лазерных гетероструктурах с квантовыми точками и ямами

 а,  а,  а,  б,  в, г, д,  в,  в,  в,  в
а Санкт-Петербургский государственный технический университет, радиофизический факультет, Санкт-Петербург, Российская Федерация
б Донбасская государственная машиностроительная академия, ул. Шкадилова 76, Краматорск, 343913, Украина
в Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Российская Федерация
г Санкт-Петербургский академический университет — научно-образовательный центр нанотехнологий РАН, ул. Хлопина 8, корп. 3, Санкт-Петербург, 194021, Российская Федерация
д Vertically Integrated Systems (VI Systems GmbH), Hardenbergstr 7, Berlin, 10623, Germany

Сессия РАН 16.12.1998

Текст pdf (485 Кб)
English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU1999v042n04ABEH000453
PACS: 01.10.Fv
DOI: 10.3367/UFNr.0169.199904g.0459
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1999/4/g/
000080487700007
Цитата: Воробьев Л Е, Фирсов Д А, Шалыгин В А, Тулупенко В Н, Леденцов Н Н, Копьев П С, Устинов В М, Шерняков Ю М, Алферов Ж И "Перспективы создания источников излучения среднего ИК диапазона на основе внутризонных межуровневых переходов носителей заряда в инжекционных лазерных гетероструктурах с квантовыми точками и ямами" УФН 169 459–464 (1999)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks
Русский English
@article{Vorob'ev:1999,
	author = {Л. Е. Воробьев and Д. А. Фирсов and В. А. Шалыгин and В. Н. Тулупенко and Н. Н. Леденцов and П. С. Копьев and В. М. Устинов and Ю. М. Шерняков and Ж. И. Алферов},
	title = {Перспективы создания источников излучения среднего ИК диапазона на основе внутризонных межуровневых переходов носителей заряда в инжекционных лазерных гетероструктурах с квантовыми точками и ямами},
	publisher = {Успехи физических наук},
	year = {1999},
	journal = {Усп. физ. наук},
	volume = {169},
	number = {4},
	pages = {459-464},
	url = {https://ufn.ru/ru/articles/1999/4/g/},
	doi = {10.3367/UFNr.0169.199904g.0459}
}

English citation: Vorob’ev L E, Firsov D A, Shalygin V A, Tulupenko V N, Ledentsov N N, Kop’ev P S, Ustinov V M, Shernyakov Yu M, Alferov Zh I “The outlook for the development of radiation sources in the middle-IR range based on the intraband transitions between the energy levels of charge carriers in injection laser heterostructures with quantum dots and wellsPhys. Usp. 42 391–396 (1999); DOI: 10.1070/PU1999v042n04ABEH000453

© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение