Перспективы создания источников излучения среднего ИК диапазона на основе внутризонных межуровневых переходов носителей заряда в инжекционных лазерных гетероструктурах с квантовыми точками и ямами

Л.Е. Воробьев^а, Д.А. Фирсов^а, В.А. Шалыгин^а, В.Н. Тулупенко^б, Н.Н. Леденцов^в, г, д, П.С. Копьев^в, В.М. Устинов^в, Ю.М. Шерняков^в, Ж.И. Алферов^в
^аСанкт-Петербургский государственный технический университет, радиофизический факультет, Санкт-Петербург, Российская Федерация
^бДонбасская государственная машиностроительная академия, ул. Шкадилова 76, Краматорск, 343913, Украина
^вФизико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Политехническая ул. 26, Санкт-Петербург, 194021, Российская Федерация
^гСанкт-Петербургский академический университет — научно-образовательный центр нанотехнологий РАН, ул. Хлопина 8, корп. 3, Санкт-Петербург, 194021, Российская Федерация
^дVertically Integrated Systems (VI Systems GmbH), Hardenbergstr 7, Berlin, 10623, Germany

Сессия РАН 16.12.1998

Текст pdf (485 Кб)

Скачивая файл я соглашаюсь с условиями использования.

English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU1999v042n04ABEH000453

PACS: 01.10.Fv
DOI: 10.3367/UFNr.0169.199904g.0459
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1999/4/g/
Web of Science

000080487700007
Цитата: Воробьев Л Е, Фирсов Д А, Шалыгин В А, Тулупенко В Н, Леденцов Н Н, Копьев П С, Устинов В М, Шерняков Ю М, Алферов Ж И "Перспективы создания источников излучения среднего ИК диапазона на основе внутризонных межуровневых переходов носителей заряда в инжекционных лазерных гетероструктурах с квантовыми точками и ямами" УФН 169 459–464 (1999)

BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Vorob’ev L E, Firsov D A, Shalygin V A, Tulupenko V N, Ledentsov N N, Kop’ev P S, Ustinov V M, Shernyakov Yu M, Alferov Zh I “The outlook for the development of radiation sources in the middle-IR range based on the intraband transitions between the energy levels of charge carriers in injection laser heterostructures with quantum dots and wells” Phys. Usp. 42 391–396 (1999); DOI: 10.1070/PU1999v042n04ABEH000453

Список литературы (13) ↓ Статьи, ссылающиеся на эту (7) Похожие статьи (20)

Faist J et al. Science 264 553 (1994)
Казаринов Р Ф, Сурис Р А ФТП 5 797 (1971); Kazarinov R F, Suris R A Sov. Phys. Semicond. 5 707 (1971); Казаринов Р Ф, Сурис Р А ФТП 6 148 (1972); Kazarinov R F, Suris R A Sov. Phys. Semicond. 6 120 (1972)
Gauthier-Lafaye O et al. Appl. Phys. Lett. 70 1 (1997)
Kastalsky A IEEE J. Quantum Electron. 29 1112 (1993)
Grundmann M, Stier O, Bimberg D Phys. Rev. B 52 11969 (1995)
Ledentsov N N The Physics of Semiconductors Vol. 1 (Eds M Sheffler, R Zimmerman) (Singapore: World Scientific, 1997) p. 19
Ledentsov N N Semiconductor Injection Lasers (Semiconductors and Semimetals, Vol. 2, Ed. W Tsang) (New York: Acad. Press, 1985), Ch. 2
Miller B T et al. Phys. Rev. B 56 6764 (1997)
Sauvage S et al. Appl. Phys. Lett. 71 2785 (1997)
Jiang H, Singh J Appl. Phys. Lett. 71 3239 (1997)
Vorobjev L E et al. Письма в ЖЭТФ 67 275 (1998)
Sakaki H et al. Appl. Phys. Lett. 51 1934 (1997)
Ando T, Fowler A B, Stern F Rev. Mod. Phys. 54 (2) 437 (1982)