|
||||||||||||||||||
Заряженные дислокации в полупроводниковых кристаллаха Институт физики твердого тела имени Ю.А. Осипьяна РАН, ул. Академика Осипьяна 2, Черноголовка, Московская обл., 142432, Российская Федерация б Институт проблем технологии микроэлектроники РАН, Черноголовка, Московская обл., Российская Федерация Обсуждается состояние проблемы заряженных дислокаций в полупроводниковых кристаллах германия и кремния. Для описания равновесных свойств пластически деформированных германия и кремния использована феноменологическая модель электронного спектра на заряженных дислокациях в этих кристаллах, развивающая представления Шокли-Рида. Модель содержит два акцепторных уровня E1 и E2, а также один донорный ε1. Кроме того, оказывается необходимым введение конечной емкости C1 для акцепторного уровня E1. В рамках принятой модели удается самосогласованно описать основные электрические свойства пластически деформированных германия и кремния. Речь идет о проводимости этих кристаллов в n и p состояниях, деталях инверсии типа проводимости дислокационного происхождения, особенностях ВАХ для кристаллов с ориентированным набором дислокаций, простейших релаксационных явлениях и т.д. При этом для германия уровень E1 оказывается расположенным в окрестности E1 \backsimeq 0,1 эВ над потолком валентной зоны, а емкость C1 \lesssim 0,1. В случае кремния E1 \backsimeq 0,4 эВ, C1 \lesssim 0,1. Обращает на себя внимание малость емкости C1, что оправдывает введение этих дополнительных параметров в характиристики электронного спектра на дислокациях.
|
||||||||||||||||||
|