Ионная имплантация примесей в монокристаллы кремния: эффективность метода и радиационные нарушения

В.С. Вавилов^а, А.Р. Челядинский^б
^аФизический институт им. П.Н. Лебедева РАН, Ленинский проспект 53, Москва, 119991, Российская Федерация
^бБелорусский государственный университет, физический факультет, Белоруссия, Минск, 220050, Беларусь

Проведен анализ ионной имплантации с точки зрения эффективности ее как метода легирования кремния донорными и акцепторными примесями, синтеза соединений на основе кремния, создания геттерирующих слоев, оптоэлектронных структур. Рассмотрены закономерности введения, накопления и отжига радиационных дефектов в имплантированном кремнии. Определены роль и место дефектов межузельного типа в общем процессе радиационного дефектообразования. Проанализированы механизмы атермической миграции атомов кремния в решетке кремния.

Текст pdf (353 Кб)

Скачивая файл я соглашаюсь с условиями использования.

English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU1995v038n03ABEH000079

PACS: 68.55.Ln, 78.50.Ge
DOI: 10.3367/UFNr.0165.199503g.0347
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1995/3/g/
Web of Science

A1995QU24300007
Цитата: Вавилов В С, Челядинский А Р "Ионная имплантация примесей в монокристаллы кремния: эффективность метода и радиационные нарушения" УФН 165 347–358 (1995)

BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Vavilov V S, Chelyadinskii A R “Impurity ion implantation into silicon single crystals: efficiency and radiation damage” Phys. Usp. 38 333–343 (1995); DOI: 10.1070/PU1995v038n03ABEH000079