Выпуски

 / 

1989

 / 

Январь

  

Из текущей литературы


Сканирующая туннельная микроскопия атомной структуры, электронных свойств и поверхностных химических реакций

,
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, Физический факультет, Ленинские горы 1 стр. 2, Москва, 119991, Российская Федерация

Обзор применений метода сканирующей туннельной микроскопии (СТМ) для изучения характера электронных свойств чистых поверхностей, изменения электронных свойств при адсорбции и поверхностных химических реакциях, а также для выяснения роли электронных свойств поверхности в формировании химических связей в процессе реакции и при образовании поверхностных структур. Показано влияние локальной плотности электронных состояний на СТМ-изображение адсорбированных атомов тех или иных элементов. Дано описание электронных свойств и атомной структуры реконструированной поверхности Si (111)-(7 X 7). На примере химической реакции NH3 с поверхностью Si (111)-(7 X 7) показано, что реакционная способность различных атомов непосредственно связана с наличием локализованных «болтающихся связей».

Текст pdf (463 Кб)
English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU1989v032n01ABEH002678
PACS: 68.37.Hk, 68.35.Bs, 73.20.At, 68.43.−h, 82.65.+r (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0157.198901f.0185
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1989/1/f/
Цитата: Маслова Н С, Панов В И "Сканирующая туннельная микроскопия атомной структуры, электронных свойств и поверхностных химических реакций" УФН 157 185–195 (1989)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Maslova N S, Panov V I “Scanning tunneling microscopy of atomic structure, electronic properties, and surface chemical reactionsSov. Phys. Usp. 32 93–99 (1989); DOI: 10.1070/PU1989v032n01ABEH002678

Статьи, ссылающиеся на эту (8) Похожие статьи (10) ↓

  1. И.П. Ревокатова, А.П. Силин «Вакуумная туннельная микроскопия — новый метод изучения поверхности твердых тел» 142 159–162 (1984)
  2. Ю.Х. Векилов, В.Д. Вернер, М.Б. Самсонова «Электронная структура поверхностей непереходных металлов» 151 341–376 (1987)
  3. А.В. Андреев «Рентгеновская оптика поверхности (Отражение и дифракция при скользящих углах падения)» 145 113–136 (1985)
  4. В.М. Свистунов, М.А. Белоголовский, А.И. Дьяченко «Вакуумная туннельная микроскопия и спектроскопия» 154 153–160 (1988)
  5. А.И. Воробьева «Электродные системы к углеродным нанотрубкам и методы их изготовления» 179 243–253 (2009)
  6. Е.В. Колонцова «Радиационно-индуцированные состояния в кристаллах с ионно-ковалентными связями» 151 149–172 (1987)
  7. В.А. Гриценко «Электронная структура нитрида кремния» 182 531–541 (2012)
  8. З.Г. Бажанова, А.Р. Оганов, О. Джанола «Системы Fe — C и Fe — H при давлениях внутреннего ядра Земли» 182 521–530 (2012)
  9. Б.З. Каценеленбаум «Проблема аппроксимируемости электромагнитного поля» 164 983–993 (1994)
  10. В.Н. Богомолов «Жидкости в ультратонких каналах (Нитяные и кластерные кристаллы)» 124 171–182 (1978)

Список формируется автоматически.

© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение