Сканирующая туннельная микроскопия атомной структуры, электронных свойств и поверхностных химических реакций

Н.С. Маслова, В.И. Панов
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, Физический факультет, Ленинские горы 1 стр. 2, Москва, 119991, Российская Федерация

Обзор применений метода сканирующей туннельной микроскопии (СТМ) для изучения характера электронных свойств чистых поверхностей, изменения электронных свойств при адсорбции и поверхностных химических реакциях, а также для выяснения роли электронных свойств поверхности в формировании химических связей в процессе реакции и при образовании поверхностных структур. Показано влияние локальной плотности электронных состояний на СТМ-изображение адсорбированных атомов тех или иных элементов. Дано описание электронных свойств и атомной структуры реконструированной поверхности Si (111)-(7 X 7). На примере химической реакции NH₃ с поверхностью Si (111)-(7 X 7) показано, что реакционная способность различных атомов непосредственно связана с наличием локализованных «болтающихся связей».

Текст pdf (463 Кб)

Скачивая файл я соглашаюсь с условиями использования.

English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU1989v032n01ABEH002678

PACS: 68.37.Hk, 68.35.Bs, 73.20.At, 68.43.−h, 82.65.+r (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0157.198901f.0185
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1989/1/f/
Цитата: Маслова Н С, Панов В И "Сканирующая туннельная микроскопия атомной структуры, электронных свойств и поверхностных химических реакций" УФН 157 185–195 (1989)

BibTexBibNote ® (generic)

BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

Русский

English

TY JOUR
TI Сканирующая туннельная микроскопия атомной структуры, электронных свойств и поверхностных  химических реакций
AU Маслова, Н. С.
AU Панов, В. И.
PB Успехи физических наук
PY 1989
JO Успехи физических наук
JF Успехи физических наук
JA Усп. физ. наук
VL 157
IS 1
SP 185-195
UR https://ufn.ru/ru/articles/1989/1/f/
ER https://doi.org/10.3367/UFNr.0157.198901f.0185

English citation: Maslova N S, Panov V I “Scanning tunneling microscopy of atomic structure, electronic properties, and surface chemical reactions” Sov. Phys. Usp. 32 93–99 (1989); DOI: 10.1070/PU1989v032n01ABEH002678