Обзор применений метода сканирующей туннельной микроскопии (СТМ) для изучения характера электронных свойств чистых поверхностей, изменения электронных свойств при адсорбции и поверхностных химических реакциях, а также для выяснения роли электронных свойств поверхности в формировании химических связей в процессе реакции и при образовании поверхностных структур. Показано влияние локальной плотности электронных состояний на СТМ-изображение адсорбированных атомов тех или иных элементов. Дано описание электронных свойств и атомной структуры реконструированной поверхности Si (111)-(7 X 7). На примере химической реакции NH₃ с поверхностью Si (111)-(7 X 7) показано, что реакционная способность различных атомов непосредственно связана с наличием локализованных «болтающихся связей».

@article{Maslova:1989,
	author = {Н. С. Маслова and В. И. Панов},
	title = {Сканирующая туннельная микроскопия атомной структуры, электронных свойств и поверхностных  химических реакций},
	publisher = {Успехи физических наук},
	year = {1989},
	journal = {Усп. физ. наук},
	volume = {157},
	number = {1},
	pages = {185-195},
	url = {https://ufn.ru/ru/articles/1989/1/f/},
	doi = {10.3367/UFNr.0157.198901f.0185}
}