Выпуски

 / 

1987

 / 

Август

  

Обзоры актуальных проблем


Кристаллизация трехмерного электронного газа

Излагаются наиболее важные результаты теоретических исследований кристаллизации трехмерного электронного газа. Рассматриваются критерий кристаллизации, влияние магнитного поля, модель вязкой жидкости, возможность реализации на опыте вигнеровского упорядочения. Подробно анализируются опубликованные за последние два десятилетия экспериментальные исследования компенсированных полупроводников, результаты которых интерпретируются их авторами на основе представлений о вигнеровской кристаллизации. Показано, что нет ни одного убедительного доказательства выявления вигнеровской кристаллизации и что все известные экспериментальные данные могут быть непротиворечиво объяснены индуцированной магнитным полем локализацией электронов в потенциальных ямах, созданных случайным распределением примесей. Табл. 1. Ил. 10. Библиогр. ссылок 65 (70 назв.).

Текст pdf (1,2 Мб)
English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU1987v030n08ABEH002937
PACS: 71.10.Ca, 71.45.Lr, 72.20.My, 72.40.+w, 72.80.Ey (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0152.198708c.0583
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1987/8/c/
Цитата: Цидильковский И М "Кристаллизация трехмерного электронного газа" УФН 152 583–622 (1987)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Tsidil’kovskii I M “Crystallization of a three-dimensional electron gasSov. Phys. Usp. 30 676–698 (1987); DOI: 10.1070/PU1987v030n08ABEH002937

Список литературы (65) Статьи, ссылающиеся на эту (18) Похожие статьи (20) ↓

  1. И.И. Ляпилин, И.М. Цидильковский «Узкощелевые полумагнитные полупроводники» УФН 146 35–72 (1985)
  2. Е.В. Холопов «Проблемы сходимости кулоновских и мультипольных сумм в кристаллах» УФН 174 1033–1060 (2004)
  3. Р.В. Парфеньев, Г.И. Харус и др. «Магнитофононный резонанс в полупроводниках» УФН 112 3–36 (1974)
  4. С.С. Мурзин «Электронный транспорт в квантовом пределе по магнитному полю» УФН 170 387–402 (2000)
  5. Е.Н. Аврорин, Б.К. Водолага и др. «Мощные ударные волны и экстремальные состояния вещества» УФН 163 (5) 1–34 (1993)
  6. С.П. Андреев «Спектры и кинетика систем с магнитопримесными состояниями при конечном радиусе потенциала» УФН 143 213–238 (1984)
  7. А.П. Силин «Полупроводниковые сверхрешетки» УФН 147 485–521 (1985)
  8. И.К. Кикоин, С.Д. Лазарев «Фотоэлектромагнитный эффект» УФН 124 597–617 (1978)
  9. И.В. Кукушкин, В.Б. Тимофеев «Магнитооптика двумерных электронов в ультраквантовом пределе: несжимаемые квантовые жидкости и вигнеровский кристалл» УФН 163 (7) 1–28 (1993)
  10. В.Я. Покровский, С.Г. Зыбцев и др. «Высокочастотные, «квантовые» и электромеханические эффекты в квазиодномерных кристаллах с волной зарядовой плотности» УФН 183 33–54 (2013)
  11. В.М. Арутюнян «Физические свойства границы полупроводник-электролит» УФН 158 255–291 (1989)
  12. В.И. Кайданов, Ю.И. Равич «Глубокие и резонансные состояния в полупроводниках типа AIVBVI» УФН 145 51–86 (1985)
  13. С.В. Вонсовский, Ю.А. Изюмов «Электронная теория переходных металлов. II» УФН 78 3–52 (1962)
  14. В.И. Белиничер, Б.И. Стурман «Фотогальванический эффект в средах без центра симметрии» УФН 130 415–458 (1980)
  15. Л.И. Рябова, Д.Р. Хохлов «Терагерцовая фотопроводимость и нетривиальные локальные электронные состояния в легированных полупроводниках на основе теллурида свинца» УФН 184 1033–1044 (2014)
  16. В.П. Быков «Фотоотсчеты и лазерное детектирование слабых оптических сигналов» УФН 175 495–513 (2005)
  17. Б.М. Смирнов «Металлические наноструктуры: от кластеров к нанокатализу и сенсорам» УФН 187 1329–1364 (2017)
  18. Р.О. Зайцев, Е.В. Кузьмин, С.Г. Овчинников «Основные представления о переходах металл-диэлектрик в соединениях 3d-металлов» УФН 148 603–636 (1986)
  19. Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос «Теория протекания и проводимость сильно неоднородных сред» УФН 117 401–435 (1975)
  20. Е.Г. Максимов «Проблема высокотемпературной сверхпроводимости. Современное состояние» УФН 170 1033–1061 (2000)

Список формируется автоматически.

© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение