Выпуски

 / 

1981

 / 

Август

  

Совещания и конференции


Электронные процессы в структурах маталл — нитрид кремния — двуокись кремния — полупроводник (МНОП)

 а, ,
а Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН, Ленинский проспект 53, Москва, 119991, Российская Федерация

Научная сессия Отделения общей физики и астрономии и Отделения ядерной физики академии наук СССР (25 — 26 февраля 1981 г.)

Текст pdf (970 Кб)
English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU1981v024n08ABEH004853
PACS: 01.10.Fv
DOI: 10.3367/UFNr.0134.198108k.0747
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1981/8/k/
Цитата: Басов Н Г, Плотников А Ф, Селезнев В Н "Электронные процессы в структурах маталл — нитрид кремния — двуокись кремния — полупроводник (МНОП)" УФН 134 747–748 (1981)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)Medline RefWorks
Русский English
RT Journal
T1 Electronic processes in metal-silicon nitride-silicon dioxide-semiconductor (MNOS) structures
A1 Basov,N.G.
A1 Plotnikov,A.F.
A1 Seleznev,V.N.
PB Uspekhi Fizicheskikh Nauk
PY 1981
FD 10 Aug, 1981
JF Uspekhi Fizicheskikh Nauk
JO Usp. Fiz. Nauk
VO 134
IS 8
SP 747-748
DO 10.3367/UFNr.0134.198108k.0747
LK https://ufn.ru/ru/articles/1981/8/k/

English citation: Basov N G, Plotnikov A F, Seleznev V N “Electronic processes in metal-silicon nitride-silicon dioxide-semiconductor (MNOS) structuresSov. Phys. Usp. 24 727–728 (1981); DOI: 10.1070/PU1981v024n08ABEH004853

© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение