Выпуски

 / 

1981

 / 

Август

  

Совещания и конференции


Самостабилизированный лавинный процесс в структуре металл — диэлектрик — полупроводник (МДП). Лавинные МДП-фотоприемники

 а, , ,
а Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН, Ленинский проспект 53, Москва, 119991, Российская Федерация

Научная сессия Отделения общей физики и астрономии и Отделения ядерной физики академии наук СССР (25 — 26 февраля 1981 г.)

Текст: pdf
Войдите или зарегистрируйтесь чтобы получить доступ к полным текстам статей.
PACS: 01.10.Fv
DOI: 10.3367/UFNr.0134.198108l.0748
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1981/8/l/
Цитата: Басов Н Г, Кравченко А Б, Плотников А Ф, Шубин В Э "Самостабилизированный лавинный процесс в структуре металл — диэлектрик — полупроводник (МДП). Лавинные МДП-фотоприемники" УФН 134 748–750 (1981)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Basov N G, Kravchenko A B, Plotnikov A F, Shubin V É “Self-stabilized avalanche process in a metal-dielectric-semiconductor (MDS) structure. Avalanche MDS photodetectorsSov. Phys. Usp. 24 728–729 (1981); DOI: 10.1070/PU1981v024n08ABEH004855

© Успехи физических наук, 1918–2019
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение