Электронные процессы в структурах маталл - нитрид кремния - двуокись кремния - полупроводник (МНОП)

Н.Г. Басов^а, А.Ф. Плотников, В.Н. Селезнев
^аФизический институт им. П.Н. Лебедева РАН, Ленинский проспект 53, Москва, 119991, Российская Федерация

Научная сессия Отделения общей физики и астрономии и Отделения ядерной физики академии наук СССР (25 — 26 февраля 1981 г.)

Текст pdf (970 Кб)

Скачивая файл я соглашаюсь с условиями использования.

English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU1981v024n08ABEH004853

PACS: 01.10.Fv
DOI: 10.3367/UFNr.0134.198108k.0747
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1981/8/k/
Цитата: Басов Н Г, Плотников А Ф, Селезнев В Н "Электронные процессы в структурах маталл — нитрид кремния — двуокись кремния — полупроводник (МНОП)" УФН 134 747–748 (1981)

BibTexBibNote ® (generic)

BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

Русский

English

TY JOUR
TI Электронные процессы в структурах маталл - нитрид кремния - двуокись кремния - полупроводник (МНОП)
AU Басов, Н. Г.
AU Плотников, А. Ф.
AU Селезнев, В. Н.
PB Успехи физических наук
PY 1981
JO Успехи физических наук
JF Успехи физических наук
JA Усп. физ. наук
VL 134
IS 8
SP 747-748
UR https://ufn.ru/ru/articles/1981/8/k/
ER https://doi.org/10.3367/UFNr.0134.198108k.0747

English citation: Basov N G, Plotnikov A F, Seleznev V N “Electronic processes in metal-silicon nitride-silicon dioxide-semiconductor (MNOS) structures” Sov. Phys. Usp. 24 727–728 (1981); DOI: 10.1070/PU1981v024n08ABEH004853