Электронные процессы в структурах маталл - нитрид кремния - двуокись кремния - полупроводник (МНОП)

Н.Г. Басов^а, А.Ф. Плотников, В.Н. Селезнев
^аФизический институт им. П.Н. Лебедева РАН, Ленинский проспект 53, Москва, 119991, Российская Федерация

Научная сессия Отделения общей физики и астрономии и Отделения ядерной физики академии наук СССР (25 — 26 февраля 1981 г.)

Текст pdf (970 Кб)

Скачивая файл я соглашаюсь с условиями использования.

English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU1981v024n08ABEH004853

PACS: 01.10.Fv
DOI: 10.3367/UFNr.0134.198108k.0747
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1981/8/k/
Цитата: Басов Н Г, Плотников А Ф, Селезнев В Н "Электронные процессы в структурах маталл — нитрид кремния — двуокись кремния — полупроводник (МНОП)" УФН 134 747–748 (1981)

BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

Русский

English

@article{Basov:1981,
	author = {Н. Г. Басов and А. Ф. Плотников and В. Н. Селезнев},
	title = {Электронные процессы в структурах маталл - нитрид кремния - двуокись кремния - полупроводник (МНОП)},
	publisher = {Успехи физических наук},
	year = {1981},
	journal = {Усп. физ. наук},
	volume = {134},
	number = {8},
	pages = {747-748},
	url = {https://ufn.ru/ru/articles/1981/8/k/},
	doi = {10.3367/UFNr.0134.198108k.0747}
}

English citation: Basov N G, Plotnikov A F, Seleznev V N “Electronic processes in metal-silicon nitride-silicon dioxide-semiconductor (MNOS) structures” Sov. Phys. Usp. 24 727–728 (1981); DOI: 10.1070/PU1981v024n08ABEH004853