Туннельные диоды

Введение. Принцип действия туннельного днода. Туннельный эффект в полупроводниках. Количественное рассмотрение туннельного эффекта в p-n-переходе. Физические основы изготовления туннельных диодов. Параметры,характеризующие туннельные диоды. Конструктивное оформление туннельных диодов. Режимы работы схем с туннельными диодами и вопросы устойчивости. Измерение параметров туннельных диодов. Генераторы на туннельных диодах. Усилители на туннельных диодах. Некоторые другие применения туннельных диодов. Применение туннельных диодов для физических исследований. Цитированная литература.

Текст pdf (3,8 Мб)

Скачивая файл я соглашаюсь с условиями использования.

PACS: 85.30.Mn, 73.40.Gk, 73.40.Kp, 85.30.De (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0077.196205c.0109
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1962/5/c/
Цитата: Фистуль В И, Шварц Н З "Туннельные диоды" УФН 77 109–160 (1962)

BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)

MedlineRefWorks

Русский

English

PT Journal Article
TI Туннельные диоды
AU Фистуль В И
FAU Фистуль ВИ
AU Шварц Н З
FAU Шварц НЗ
DP 10 May, 1962
TA Усп. физ. наук
VI 77
IP 5
PG 109-160
RX 10.3367/UFNr.0077.196205c.0109
URL https://ufn.ru/ru/articles/1962/5/c/
SO Усп. физ. наук 1962 May 10;77(5):109-160

English citation: Fistul’ V I, Shvarts N Z “TUNNEL DIODES” Sov. Phys. Usp. 5 430–459 (1962); DOI: 10.1070/PU1962v005n03ABEH003425