Туннельные диоды

Введение. Принцип действия туннельного днода. Туннельный эффект в полупроводниках. Количественное рассмотрение туннельного эффекта в p-n-переходе. Физические основы изготовления туннельных диодов. Параметры,характеризующие туннельные диоды. Конструктивное оформление туннельных диодов. Режимы работы схем с туннельными диодами и вопросы устойчивости. Измерение параметров туннельных диодов. Генераторы на туннельных диодах. Усилители на туннельных диодах. Некоторые другие применения туннельных диодов. Применение туннельных диодов для физических исследований. Цитированная литература.

Текст pdf (3,8 Мб)

Скачивая файл я соглашаюсь с условиями использования.

PACS: 85.30.Mn, 73.40.Gk, 73.40.Kp, 85.30.De (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0077.196205c.0109
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1962/5/c/
Цитата: Фистуль В И, Шварц Н З "Туннельные диоды" УФН 77 109–160 (1962)

BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)Medline

RefWorks

Русский

English

RT Journal
T1 Туннельные диоды
A1 Фистуль,В.И.
A1 Шварц,Н.З.
PB Успехи физических наук
PY 1962
FD 10 May, 1962
JF Успехи физических наук
JO Усп. физ. наук
VO 77
IS 5
SP 109-160
DO 10.3367/UFNr.0077.196205c.0109
LK https://ufn.ru/ru/articles/1962/5/c/

English citation: Fistul’ V I, Shvarts N Z “TUNNEL DIODES” Sov. Phys. Usp. 5 430–459 (1962); DOI: 10.1070/PU1962v005n03ABEH003425