RSS-ленты
РусскийEnglish
Выпуск 10, 2026
Том год страница
Выпуски Авторы PACS Подписчикам Для авторов

Выпуски

 / 

1962

 / 

май

←  →

Обзоры актуальных проблем


Туннельные диоды

,

Введение. Принцип действия туннельного днода. Туннельный эффект в полупроводниках. Количественное рассмотрение туннельного эффекта в p-n-переходе. Физические основы изготовления туннельных диодов. Параметры,характеризующие туннельные диоды. Конструктивное оформление туннельных диодов. Режимы работы схем с туннельными диодами и вопросы устойчивости. Измерение параметров туннельных диодов. Генераторы на туннельных диодах. Усилители на туннельных диодах. Некоторые другие применения туннельных диодов. Применение туннельных диодов для физических исследований. Цитированная литература.

Текст pdf (3,8 Мб)
English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU1962v005n03ABEH003425
PACS: 85.30.Mn, 73.40.Gk, 73.40.Kp, 85.30.De (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0077.196205c.0109
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1962/5/c/
Цитата: Фистуль В И, Шварц Н З "Туннельные диоды" УФН 77 109–160 (1962)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Fistul’ V I, Shvarts N Z “TUNNEL DIODES” Sov. Phys. Usp. 5 430–459 (1962); DOI: 10.1070/PU1962v005n03ABEH003425

Статьи, ссылающиеся на эту (11) Похожие статьи (20) ↓

  1. П.В. Ратников, А.П. Силин «Двумерная графеновая электроника: современное состояние и перспективы» УФН 188 1249–1287 (2018)
  2. Ю.Б. Болховитянов, О.П. Пчеляков, С.И. Чикичев «Кремний-германиевые эпитаксиальные пленки: физические основы получения напряженных и полностью релаксированных гетероструктур» УФН 171 689–715 (2001)
  3. П.И. Арсеев, Н.С. Маслова «Взаимодействие электронов с колебательными модами при туннелировании через одиночные молекулы» УФН 180 1197–1216 (2010)
  4. Д.В. Казанцев, Е.В. Кузнецов и др. «Безапертурная микроскопия ближнего оптического поля» УФН 187 277–295 (2017)
  5. К.В. Рейх «Электропроводность массива квантовых точек» УФН 190 1062–1084 (2020)
  6. И.В. Кукушкин, С.В. Мешков, В.Б. Тимофеев «Плотность состояний двумерных электронов в поперечном магнитном поле» УФН 155 219–264 (1988)
  7. И.К. Гайнуллин «Резонансный электронный обмен при рассеянии ионов на металлических поверхностях» УФН 190 950–970 (2020)
  8. Н.Г. Басов, О.Н. Крохин, Ю.М. Попов «Генерация, усиление и индикация инфракрасного и оптического излучений с помощью квантовых систем» УФН 72 161–209 (1960)
  9. Н. Бор «Превращения атомных ядер» УФН 18 337–345 (1937)
  10. В.С. Гречишкин, Н.Е. Айнбиндер «Радиоспектроскопия органических полупроводников» УФН 91 645–675 (1967)
  11. В.С. Коган «Изотопические эффекты в структурных свойствах твердых тел» УФН 78 579–617 (1962)
  12. С.И. Никольский «Широкие атмосферные ливни космического излучения» УФН 78 365–410 (1962)
  13. С.А. Альтшулер, Б.И. Кочелаев, А.М. Леушин «Парамагнитное поглощение звука» УФН 75 459–499 (1961)
  14. Г.Р. Хуцишвили «Эффект Оверхаузера и родственные явления» УФН 71 9–69 (1960)
  15. Ю.П. Райзер «Пробой и нагревание газов под действием лазерного луча» УФН 87 29–64 (1965)
  16. Н.И. Фань «Поглощение инфракрасного излучения в полупроводниках» УФН 64 315–360 (1958)
  17. О.В. Долгов, Е.Г. Максимов «Эффекты локального поля и нарушение соотношений Крамерса - Кронига для диэлектрической проницаемости» УФН 135 441–477 (1981)
  18. В.А. Ацаркин, Г.В. Скроцкий и др. «ЯМР-интроскопия» УФН 135 285–315 (1981)
  19. М. Пирани «Новые исследования по возбуждению света» УФН 13 445–455 (1933)
  20. А.В. Гуревич «Нелинейные явления в ионосфере» УФН 177 1145–1177 (2007)

Список формируется автоматически.
© Успехи физических наук, 1918–2026
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение