Туннельные диоды

Введение. Принцип действия туннельного днода. Туннельный эффект в полупроводниках. Количественное рассмотрение туннельного эффекта в p-n-переходе. Физические основы изготовления туннельных диодов. Параметры,характеризующие туннельные диоды. Конструктивное оформление туннельных диодов. Режимы работы схем с туннельными диодами и вопросы устойчивости. Измерение параметров туннельных диодов. Генераторы на туннельных диодах. Усилители на туннельных диодах. Некоторые другие применения туннельных диодов. Применение туннельных диодов для физических исследований. Цитированная литература.

Текст pdf (3,8 Мб)

Скачивая файл я соглашаюсь с условиями использования.

PACS: 85.30.Mn, 73.40.Gk, 73.40.Kp, 85.30.De (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0077.196205c.0109
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1962/5/c/
Цитата: Фистуль В И, Шварц Н З "Туннельные диоды" УФН 77 109–160 (1962)

BibTexBibNote ® (generic)

BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

Русский

English

TY JOUR
TI Туннельные диоды
AU Фистуль, В. И.
AU Шварц, Н. З.
PB Успехи физических наук
PY 1962
JO Успехи физических наук
JF Успехи физических наук
JA Усп. физ. наук
VL 77
IS 5
SP 109-160
UR https://ufn.ru/ru/articles/1962/5/c/
ER https://doi.org/10.3367/UFNr.0077.196205c.0109

English citation: Fistul’ V I, Shvarts N Z “TUNNEL DIODES” Sov. Phys. Usp. 5 430–459 (1962); DOI: 10.1070/PU1962v005n03ABEH003425