Евгений Борисович Ольшанецкий

Институт физики полупроводников СО РАН
Адрес: просп. Ак. Лаврентьева 13, Новосибирск, 630090, Российская Федерация

Новосибирский государственный университет
Адрес: Академгородок, ул. Пирогова 2, Новосибирск, 630090, Российская Федерация
Телефон: +7 (3832) 30 32 44
Факс: +7 (3832) 39 71 01
Вебсайт: www.nsu.ru

Cтатьи, принятые к публикаци

Г.М. Гусев, З.Д. Квон, А.Д. Левин и др. «ТермоЭДС в топологических изоляторах и двумерных полуметаллах на основе HgTe» УФН, принята к публикации

Статьи		Число цитирований
2	З.Д. Квон, Д.А. Козлов, Е.Б. Ольшанецкий и др. «Топологические изоляторы на основе HgTe» УФН 190 673–692 (2020)	25
3	В.М. Пудалов, С.В. Иорданский, А. Кашуба и др. «Объединенная научная сессия Отделения физических наук Российской академии наук и Объединенного физического общества Российской Федерации «Сильнокоррелированные электроны в двумерных системах» (26 октября 2005 г.)» УФН 176 213–219 (2006)	1
4	Е.Б. Ольшанецкий, В. Ренар, З.Д. Квон и др. «Эффекты взаимодействия в транспорте и магнитотранспорте двумерных электронов в гетеропереходах AlGaAs/GaAs и Si/SiGe» УФН 176 222–227 (2006)	1
5	З.Д. Квон, Е.Б. Ольшанецкий, Г.М. Гусев и др. «Мезоскопические флуктуации проводимости кулоновского типа в двумерном электронном газе вблизи фактора заполнения ν=1/2» УФН 168 175–178 (1998)

Е.Б. Ольшанецкий: суммарное число цитирований статей, опубликованных в УФН

См. также: З.Д. Квон, Г.М. Гусев, А.И. Торопов, Н.Н. Михайлов, Ж.К. Портал, В. Ренар, И.В. Горный, В.Л. Гинзбург, В.М. Пудалов, Д.А. Козлов, Д.К. Мауд, Дж.С. Портал, Ю.А. Изюмов, С.А. Дворецкий, А. Кашуба

PACS: 73.43.Qt, 73.63.Hs, 01.10.Fv, 71.27.+a, 71.30.+h, 72.15.Rn, 05.45.+b, 73.40.Gk

Евгений Борисович Ольшанецкий

Cтатьи, принятые к публикаци

Статьи

Число цитирований