Евгений Борисович Ольшанецкий
Институт физики полупроводников СО РАН
Адрес: просп. Ак. Лаврентьева 13, Новосибирск, 630090, Российская Федерация
Новосибирский государственный технический университет
Адрес: просп. Карла Маркса 20, Новосибирск, 630092, Российская Федерация
Телефон: +7 (3832) 46 50 01
Факс: +7 (3832) 46 02 09, +7 (3832) 4
Вебсайт:
|
|
Статьи |
Число цитирований |
| 1 |
Г.М. Гусев, З.Д. Квон, А.Д. Левин и др. «ТермоЭДС в топологических изоляторах и двумерных полуметаллах на основе HgTe» УФН 196 2–27 (2026)
|
|
| 2 |
З.Д. Квон, Д.А. Козлов, Е.Б. Ольшанецкий и др. «Топологические изоляторы на основе HgTe» УФН 190 673–692 (2020)
|
27
|
| 3 |
В.М. Пудалов, С.В. Иорданский, А. Кашуба и др. «Объединенная научная сессия Отделения физических наук Российской академии наук и Объединенного физического общества Российской Федерации «Сильнокоррелированные электроны в двумерных системах» (26 октября 2005 г.)» УФН 176 213–219 (2006)
|
1
|
| 4 |
Е.Б. Ольшанецкий, В. Ренар, З.Д. Квон и др. «Эффекты взаимодействия в транспорте и магнитотранспорте двумерных электронов в гетеропереходах AlGaAs/GaAs и Si/SiGe» УФН 176 222–227 (2006)
|
1
|
| 5 |
З.Д. Квон, Е.Б. Ольшанецкий, Г.М. Гусев и др. «Мезоскопические флуктуации проводимости кулоновского типа в двумерном электронном газе вблизи фактора заполнения ν=1/2» УФН 168 175–178 (1998)
|
|
|
29
Е.Б. Ольшанецкий:
суммарное число цитирований статей, опубликованных в УФН
См. также:
З.Д. Квон,
Г.М. Гусев,
Н.Н. Михайлов,
А.И. Торопов,
В. Ренар,
И.В. Горный,
Ж.К. Портал,
В.Л. Гинзбург,
В.М. Пудалов,
Ю.А. Изюмов,
Дж.С. Портал,
Д.К. Мауд,
С.В. Иорданский,
А.В. Гуревич,
Г.А. Аскарьян
PACS: 72.15.Jf, 72.20.Pa, 85.35.Be, 73.43.Qt, 73.63.Hs, 01.10.Fv, 71.27.+a, 71.30.+h, 72.15.Rn, 05.45.+b, 73.40.Gk
|
|
