Cтатьи, принятые к публикации

К 55-летию Института спектроскопии РАН


Кремниевая интегральная фотоника

, , , , , , ,
Сколковский институт науки и технологий, Территория Инновационного Центра  Сколково , Большой бульвар 30, стр.1, Москва, 121205, Российская Федерация

Технологии кремниевой интегральной фотоники являются основой для создания целого класса устройств, таких как оптические модуляторы, фотодетекторы, оптические фильтры и переключатели, мультиплексоры и демультиплексоры, оптические трансиверы и др. По многим параметрам кремниевая интегральная фотоника конкурирует с альтернативными платформами на основе фосфида индия, нитрида и оксида кремния и других материалов. Рассмотрены современные подходы, используемые в технологиях кремниевой интегральной фотоники, и описаны разработанные на их основе компоненты фотонных интегральных схем и устройств, а также проведено сравнение с альтернативными технологическими платформами.

Ключевые слова: кремний, интегральная фотоника, нанофотоника, кремний-на-изоляторе, компоненты ФИС
PACS: 42.82.−m, 42.82.Et, 84.40.Lj (все)
DOI: 10.3367/UFNr.2024.09.039762
Цитата: Косолобов С С, Пшеничнюк И А, Тазиев К Р, Земцова А К, Земцов Д С, Смирнов А С, Жигунов Д М, Драчев В П "Кремниевая интегральная фотоника" УФН, принята к публикации

Поступила: 15 апреля 2024, доработана: 12 сентября 2024, 13 сентября 2024

English citation: Kosolobov S S, Pshenichnyuk I A, Taziev K R, Zemtsova A K, Zemtsov D S, Smirnov A S, Zhigunov D M, Drachev V P “Silicon integrated photonicsPhys. Usp., accepted; DOI: 10.3367/UFNe.2024.09.039762

© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение