Технологии кремниевой интегральной фотоники являются основой для создания целого класса устройств, таких как оптические модуляторы, фотодетекторы, оптические фильтры и переключатели, мультиплексоры и демультиплексоры, оптические трансиверы и др. По многим параметрам кремниевая интегральная фотоника конкурирует с альтернативными платформами на основе фосфида индия, нитрида и оксида кремния и других материалов. Рассмотрены современные подходы, используемые в технологиях кремниевой интегральной фотоники, и описаны разработанные на их основе компоненты фотонных интегральных схем и устройств, а также проведено сравнение с альтернативными технологическими платформами.
%0 Journal Article
%T Кремниевая интегральная фотоника
%A С. С. Косолобов
%A И. А. Пшеничнюк
%A К. Р. Тазиев
%A А. К. Земцова
%A Д. С. Земцов
%A А. С. Смирнов
%A Д. М. Жигунов
%A В. П. Драчев
%I Успехи физических наук
%D 2024
%J Усп. физ. наук
%V 194
%N 11
%P 1223-1239
%U https://ufn.ru/ru/articles/2024/11/j/
%U https://doi.org/10.3367/UFNr.2024.09.039762
Поступила: 15 апреля 2024, доработана: 12 сентября 2024, одобрена в печать: 13 сентября 2024
English citation: Kosolobov S S, Pshenichnyuk I A, Taziev K R, Zemtsova A K, Zemtsov D S, Smirnov A S, Zhigunov D M, Drachev V P “Silicon integrated photonics” Phys. Usp.67 1153–1167 (2024); DOI: 10.3367/UFNe.2024.09.039762