Технологии кремниевой интегральной фотоники являются основой для создания целого класса устройств, таких как оптические модуляторы, фотодетекторы, оптические фильтры и переключатели, мультиплексоры и демультиплексоры, оптические трансиверы и др. По многим параметрам кремниевая интегральная фотоника конкурирует с альтернативными платформами на основе фосфида индия, нитрида и оксида кремния и других материалов. Рассмотрены современные подходы, используемые в технологиях кремниевой интегральной фотоники, и описаны разработанные на их основе компоненты фотонных интегральных схем и устройств, а также проведено сравнение с альтернативными технологическими платформами.
Ключевые слова: кремний, интегральная фотоника, нанофотоника, кремний-на-изоляторе, компоненты фотонных интегральных схем PACS:42.82.−m, 42.82.Et, 84.40.Lj (все) DOI:10.3367/UFNr.2024.09.039762 URL: https://ufn.ru/ru/articles/2024/11/j/ Цитата: Косолобов С С, Пшеничнюк И А, Тазиев К Р, Земцова А К, Земцов Д С, Смирнов А С, Жигунов Д М, Драчев В П "Кремниевая интегральная фотоника" УФН194 1223–1239 (2024)
%0 Journal Article
%T Silicon integrated photonics
%A S. S. Kosolobov
%A I. A. Pshenichnyuk
%A K. R. Taziev
%A A. K. Zemtsova
%A D. S. Zemtsov
%A A. S. Smirnov
%A D. M. Zhigunov
%A V. P. Drachev
%I Uspekhi Fizicheskikh Nauk
%D 2024
%J Usp. Fiz. Nauk
%V 194
%N 11
%P 1223-1239
%U https://ufn.ru/ru/articles/2024/11/j/
%U https://doi.org/10.3367/UFNr.2024.09.039762
Поступила: 15 апреля 2024, доработана: 12 сентября 2024, одобрена в печать: 13 сентября 2024