Внесение идей топологии и топологических переходов в физику твердого тела привело к теоретическому предсказанию и последующему экспериментальному открытию топологических изоляторов — нового класса диэлектрических трехмерных или квазидвумерных кристаллических систем, имеющих устойчивые проводящие поверхностные состояния. В данной работе представлен краткий обзор электронных свойств топологических изоляторов. Более подробно описана структура краевых и объемных электронных состояний в двумерных и трехмерных топологических изоляторах на основе соединения HgTe. Представлены результаты теоретического и экспериментального исследования взаимодействия электромагнитного поля с топологическими изоляторами, краевых и поверхностных фотогальванических эффектов.

Ключевые слова: топологические изоляторы, краевые и поверхностные состояния, фотогальванические эффекты PACS: 72.25.Dc, 73.20.−r, 73.40.−c, 73.50.Pz (все) DOI: 10.3367/UFNr.2017.11.038351 URL: https://ufn.ru/ru/articles/2018/10/i/ 000454141800007 2018PhyU...61.1026T Цитата: Тарасенко С А "Электронные свойства топологических изоляторов. Структура краевых состояний и фотогальванические эффекты" УФН 188 1129–1134 (2018) BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks Поступила: 16 апреля 2018, одобрена в печать: 29 ноября 2017 English citation: Tarasenko S A “Electron properties of topological insulators. The structure of edge states and photogalvanic effects” Phys. Usp. 61 1026–1030 (2018); DOI: 10.3367/UFNe.2017.11.038351