RSS-ленты
РусскийEnglish
Выпуск 12, 2024
Том год страница
Выпуски Авторы PACS Подписчикам Для авторов

Выпуски

 / 

2018

 / 

Октябрь

←  →

Конференции и симпозиумы


Электронные свойства топологических изоляторов. Структура краевых состояний и фотогальванические эффекты


Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Политехническая ул. 26, Санкт-Петербург, 194021, Российская Федерация

Внесение идей топологии и топологических переходов в физику твердого тела привело к теоретическому предсказанию и последующему экспериментальному открытию топологических изоляторов — нового класса диэлектрических трехмерных или квазидвумерных кристаллических систем, имеющих устойчивые проводящие поверхностные состояния. В данной работе представлен краткий обзор электронных свойств топологических изоляторов. Более подробно описана структура краевых и объемных электронных состояний в двумерных и трехмерных топологических изоляторах на основе соединения HgTe. Представлены результаты теоретического и экспериментального исследования взаимодействия электромагнитного поля с топологическими изоляторами, краевых и поверхностных фотогальванических эффектов.

Текст pdf (650 Кб)
English fulltext is available at DOI: 10.3367/UFNe.2017.11.038351
Ключевые слова: топологические изоляторы, краевые и поверхностные состояния, фотогальванические эффекты
PACS: 72.25.Dc, 73.20.−r, 73.40.−c, 73.50.Pz (все)
DOI: 10.3367/UFNr.2017.11.038351
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2018/10/i/
000454141800007
2018PhyU...61.1026T
Цитата: Тарасенко С А "Электронные свойства топологических изоляторов. Структура краевых состояний и фотогальванические эффекты" УФН 188 1129–1134 (2018)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

Поступила: 16 апреля 2018, 29 ноября 2017

English citation: Tarasenko S A “Electron properties of topological insulators. The structure of edge states and photogalvanic effects” Phys. Usp. 61 1026–1030 (2018); DOI: 10.3367/UFNe.2017.11.038351

Список литературы (68) ↓ Статьи, ссылающиеся на эту (10) Похожие статьи (20)

  1. Березинский В Л ЖЭТФ 61 1144 (1971); Berezinskii V L Sov. Phys. JETP 34 610 (1972)
  2. Kosterlitz J M, Thouless D J J. Phys. C 6 1181 (1973)
  3. Thouless D J et al Phys. Rev. Lett. 49 405 (1982)
  4. Haldane F D M Phys. Rev. Lett. 61 2015 (1988)
  5. Hasan M Z, Kane C L Rev. Mod. Phys. 82 3045 (2010)
  6. Qi X-L, Zhang Sh-Ch Rev. Mod. Phys. 83 1057 (2011)
  7. Tamm I Phys. Z. Sowjetunion 1 733 (1932)
  8. Волков Б А, Панкратов О А Письма в ЖЭТФ 42 145 (1985); Volkov B A, Pankratov O A JETP Lett. 42 178 (1985)
  9. Волков Б А, Панкратов О А УФН 149 334 (1986); Volkov B A, Pankratov O A Sov. Phys. Usp. 29 575 (1986)
  10. Долгополов В Т УФН 184 113 (2014); Dolgopolov V T Phys. Usp. 57 105 (2014)
  11. Zhang H et al Nature Phys. 5 438 (2009)
  12. Xia Y et al Nature Phys. 5 398 (2009)
  13. Fu L, Kane C L Phys. Rev. B 76 045302 (2007)
  14. Brüne C et al Phys. Rev. Lett. 106 126803 (2011)
  15. Kozlov D A et al Phys. Rev. Lett. 112 196801 (2014)
  16. Dantscher K-M et al Phys. Rev. B 92 165314 (2015)
  17. Barfuss A et al Phys. Rev. Lett. 111 157205 (2013)
  18. Bernevig B A, Hughes T L, Zhang S-C Science 314 1757 (2006)
  19. König M et al Science 318 766 (2007)
  20. Knez I et al Phys. Rev. Lett. 112 026602 (2014)
  21. Liu Q et al Adv. Function. Mater. 26 3259 (2016)
  22. Roth A et al Science 325 294 (2009)
  23. Gusev G M et al Phys. Rev. B 84 121302(R) (2011)
  24. Zholudev M et al Phys. Rev. B 86 205420 (2012)
  25. Ma E et al Nature Commun. 6 7252 (2015)
  26. Миньков Г М и др Письма в ЖЭТФ 101 522 (2015); Min'kov G M et al JETP Lett. 101 469 (2015)
  27. Tikhonov E S et al Письма в ЖЭТФ 101 787 (2015); Tikhonov E S et al JETP Lett. 101 708 (2015)
  28. Kononov A et al Письма в ЖЭТФ 101 44 (2015); Kononov A et al JETP Lett. 101 41 (2015)
  29. Dantscher K-M et al Phys. Rev. B 95 201103(R) (2017)
  30. Kadykov A M et al Phys. Rev. Lett. 120 086401 (2018)
  31. Дьяконов М И, Хаецкий А В Письма в ЖЭТФ 33 115 (1981); D'yakonov M I, Khaetskii A V JETP Lett. 33 110 (1981)
  32. Герчиков Л Е, Субашиев А В ФТП 23 2210 (1989); Gerchikov L G, Subashiev A V Sov. Phys. Semicond. 23 1368 (1989)
  33. Raichev O E Phys. Rev. B 85 045310 (2012)
  34. Tarasenko S A et al Phys. Rev. B 91 081302(R) (2015)
  35. Durnev M V, Tarasenko S A Phys. Rev. B 93 075434 (2016)
  36. Minkov G M et al Phys. Rev. B 93 155304 (2016)
  37. König M et al J. Phys. Soc. Jpn. 77 031007 (2008)
  38. Enaldiev V V, Zagorodnev I V, Volkov V A Письма в ЖЭТФ 101 94 (2015); Enaldiev V V, Zagorodnev I V, Volkov V A JETP Lett. 101 89 (2015)
  39. Gusev G M et al Phys. Rev. B 87 081311(R) (2013)
  40. Tanaka Y, Furusaki A, Matveev K A Phys. Rev. Lett. 106 236402 (2011)
  41. Lunde A M, Platero G Phys. Rev. B 86 035112 (2012)
  42. Altshuler B L, Aleiner I L, Yudson V I Phys. Rev. Lett. 111 086401 (2013)
  43. Kurilovich P D et al Письма в ЖЭТФ 106 575 (2017); Kurilovich P D et al JETP Lett. 106 593 (2017)
  44. Maestro A D, Hyart T, Rosenow B Phys. Rev. B 87 165440 (2013)
  45. Lunde A M, Platero G Phys. Rev. B 88 115411 (2013)
  46. Tarasenko S A, Burkard G Phys. Rev. B 94 045309 (2016)
  47. Väyrynen J I et al Phys. Rev. B 90 115309 (2014)
  48. Dóra B et al Phys. Rev. Lett. 108 056602 (2012)
  49. DurnevM V, Tarasenko S A arXiv:1805.04331
  50. Kaladzhyan V, Aseev P P, Artemenko S N Phys. Rev. B 92 155424 (2015)
  51. Tarasenko S A Письма в ЖЭТФ 85 216 (2007); Tarasenko S A JETP Lett. 85 182 (2007)
  52. Entin M V, Magarill L I Письма в ЖЭТФ 103 804 (2016); Entin M V, Magarill L I JETP Lett. 103 711 (2016)
  53. Checkelsky J G et al Phys. Rev. Lett. 103 246601 (2009)
  54. Analytis J G et al Phys. Rev. B 81 205407 (2010)
  55. Ren Z et al Phys. Rev. B 84 165311 (2011)
  56. Xia B et al Phys. Rev. B 87 085442 (2013)
  57. Pan Y et al New J. Phys. 16 123035 (2014)
  58. Shuvaev A et al Appl. Phys. Lett. 102 241902 (2013)
  59. Shuvaev A M et al Phys. Rev. B 87 121104(R) (2013)
  60. Hsieh D et al Phys. Rev. Lett. 106 057401 (2011)
  61. McIver J W et al Nature Nanotechnol. 7 96 (2012)
  62. Olbrich P et al Phys. Rev. Lett. 113 096601 (2014)
  63. Шикин А М и др ФТТ 58 1617 (2016); Shikin A M et al Phys. Solid State 58 1675 (2016)
  64. Hamh S Y et al Phys. Rev. B 94 161405(R) (2016)
  65. Galeeva A V et al Semicond. Sci. Technol. 31 095010 (2016)
  66. Pan Y et al Nature Commun. 8 1037 (2017)
  67. Huang Y Q et al Nature Commun. 8 15401 (2017)
  68. Kuroda K et al Phys. Rev. B 95 081103(R) (2017)
© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение