RSS-ленты
РусскийEnglish
Выпуск 12, 2024
Том год страница
Выпуски Авторы PACS Подписчикам Для авторов

Выпуски

 / 

2018

 / 

Октябрь

←  →

Конференции и симпозиумы


Электронные свойства топологических изоляторов. Структура краевых состояний и фотогальванические эффекты


Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Политехническая ул. 26, Санкт-Петербург, 194021, Российская Федерация

Внесение идей топологии и топологических переходов в физику твердого тела привело к теоретическому предсказанию и последующему экспериментальному открытию топологических изоляторов — нового класса диэлектрических трехмерных или квазидвумерных кристаллических систем, имеющих устойчивые проводящие поверхностные состояния. В данной работе представлен краткий обзор электронных свойств топологических изоляторов. Более подробно описана структура краевых и объемных электронных состояний в двумерных и трехмерных топологических изоляторах на основе соединения HgTe. Представлены результаты теоретического и экспериментального исследования взаимодействия электромагнитного поля с топологическими изоляторами, краевых и поверхностных фотогальванических эффектов.

Текст pdf (650 Кб)
English fulltext is available at DOI: 10.3367/UFNe.2017.11.038351
Ключевые слова: топологические изоляторы, краевые и поверхностные состояния, фотогальванические эффекты
PACS: 72.25.Dc, 73.20.−r, 73.40.−c, 73.50.Pz (все)
DOI: 10.3367/UFNr.2017.11.038351
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2018/10/i/
000454141800007
2018PhyU...61.1026T
Цитата: Тарасенко С А "Электронные свойства топологических изоляторов. Структура краевых состояний и фотогальванические эффекты" УФН 188 1129–1134 (2018)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

Поступила: 16 апреля 2018, 29 ноября 2017

English citation: Tarasenko S A “Electron properties of topological insulators. The structure of edge states and photogalvanic effects” Phys. Usp. 61 1026–1030 (2018); DOI: 10.3367/UFNe.2017.11.038351

Список литературы (68) Статьи, ссылающиеся на эту (10) Похожие статьи (20) ↓

  1. О.А. Панкратов «Поверхностные состояния топологических изоляторов» УФН 188 1226–1237 (2018)
  2. Ю.Е. Лозовик «Плазмоника и магнитоплазмоника на графене и топологическом изоляторе» УФН 182 1111–1116 (2012)
  3. Ю.Е. Лозовик, С.П. Меркулова, А.А. Соколик «Коллективные электронные явления в графене» УФН 178 757–776 (2008)
  4. Т.В. Бармашова, К.А. Мартьянов и др. «Плавный переход от ферми-жидкости к бозе-конденсату в эксперименте с двумерным ультрахолодным газом» УФН 186 183–192 (2016)
  5. Б.А. Волков «Электронные свойства узкощелевых полупроводников типа IV-VI» УФН 173 1013–1015 (2003)
  6. В.А. Крупенин, С.В. Лотхов и др. «Зондирование динамических зарядовых состояний с помощью одноэлектронных туннельных транзисторов» УФН 168 219–222 (1998)
  7. С.И. Дорожкин «Фотоотклик в магнетопроводимости высокосовершенных двумерных электронных систем на облучение электромагнитными волнами миллиметрового диапазона» УФН 175 213–218 (2005)
  8. Л.И. Магарилл, А.В. Чаплик, М.В. Энтин «Спектр и кинетика электронов в криволинейных наноструктурах» УФН 175 995 (2005)
  9. В.П. Кочерешко, Р.А. Сурис, Д.Г. Яковлев «Эффекты экситон-электронного вращения в структурах с квантовыми ямами, содержащими двумерный электронный газ» УФН 170 335–338 (2000)
  10. Б. Спивак, А. Зюзин «Взаимодействие Рудермана-Киттеля с памятью знака в неупорядоченных металлах и магнитная связь в мезоскопических слоистых системах металл/ферромагнетик» УФН 168 209–212 (1998)
  11. А.В. Шитов, П.А. Ли, Л.С. Левитов «Локализация квазичастиц в NS-структуре» УФН 168 222–226 (1998)
  12. Д.А. Иванов, М.В. Фейгельман «Кулоновские эффекты в баллистическом одноканальном S-S-S-транзисторе» УФН 168 212–216 (1998)
  13. С.В. Морозов «Новые эффекты в графене с высокой подвижностью носителей» УФН 182 437–442 (2012)
  14. Г.Е. Воловик «Экзотические переходы Лифшица в топологической материи» УФН 188 95–105 (2018)
  15. М.В. Фейгельман «Квантовый бит на основе джозефсоновского контакта обычного и высокотемпературного сверхпроводников (теория)» УФН 169 917–919 (1999)
  16. Е.С. Солдатов, В.В. Ханин и др. «Молекулярный одноэлектронный транзистор, работающий при комнатной температуре» УФН 168 217–219 (1998)
  17. А.Ф. Волков, В.В. Павловский «Явления фазовой когерентности в S/N/S структурах» УФН 168 205–209 (1998)
  18. С.В. Морозов, К.С. Новоселов, А.К. Гейм «Электронный транспорт в графене» УФН 178 776–780 (2008)
  19. Е.М. Дижур, В.А. Вентцель, А.Н. Вороновский «Квантовый транспорт при высоких давлениях» УФН 178 1111–1118 (2008)
  20. В.Ф. Елесин, И.Ю. Катеев и др. «Теория когерентной генерации туннельно-резонансного диода» УФН 170 333–335 (2000)

Список формируется автоматически.
© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение