Терагерцовая фотопроводимость и нетривиальные локальные электронные состояния в легированных полупроводниках на основе теллурида свинца
Л.И. Рябоваа,
Д.Р. Хохловб,в аМосковский государственный университет им. М.В.Ломоносова, Химический факультет, Ленинские горы, Москва, 119992, Российская Федерация бМосковский государственный университет имени М.В. Ломоносова, Физический факультет, Ленинские горы 1 стр. 2, Москва, 119991, Российская Федерация вФизический институт им. П.Н. Лебедева РАН, Ленинский проспект 53, Москва, 119991, Российская Федерация
В обзоре рассмотрены необычные фотоэлектрические эффекты, наблюдающиеся в легированных узкощелевых полупроводниках на основе теллурида свинца при воздействии мощных импульсов лазерного терагерцового излучения. Показано, что за появление этих эффектов в ряде случаев ответственны нетривиальные локальные электронные состояния, "привязанные", в отличие от обычных примесных состояний, не к определённому месту в энергетическом спектре полупроводника, а к положению квазиуровня Ферми, которое может варьироваться при изменении степени фотовозбуждения.
@article{Ryabova:2014,author = {L. I. Ryabova and D. R. Khokhlov},title = {Terahertz photoconductivity and nontrivial local electronic states in doped lead telluride-based semiconductors},publisher = {Uspekhi Fizicheskikh Nauk},year = {2014},journal = {Usp. Fiz. Nauk},volume = {184},number = {10},pages = {1033-1044},url = {https://ufn.ru/ru/articles/2014/10/b/},doi = {10.3367/UFNr.0184.201410b.1033}}
Поступила: 15 января 2014, доработана: 8 февраля 2014, одобрена в печать: 11 февраля 2014