Выпуски

 / 

2010

 / 

Июль

  

Конференции и симпозиумы


Анизотропия спиновой релаксации в двумерных полупроводниках


Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Российская Федерация

Спинтроника (Научная сессия Отделения физических наук Российской академии наук, 3 февраля 2010 г.).

Текст pdf (409 Кб)
English fulltext is available at DOI: 10.3367/UFNe.0180.201007j.0777
PACS: 75.76.+j, 76.30.−v, 85.75.−d (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0180.201007j.0777
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2010/7/j/
000282808100008
2-s2.0-77958598899
2010PhyU...53..742A
Цитата: Аверкиев Н С "Анизотропия спиновой релаксации в двумерных полупроводниках" УФН 180 777–780 (2010)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Averkiev N S “Spin relaxation anisotropy in two-dimensional semiconductorsPhys. Usp. 53 742–745 (2010); DOI: 10.3367/UFNe.0180.201007j.0777

Список литературы (12) ↓ Статьи, ссылающиеся на эту (3) Похожие статьи (20)

  1. Дьяконов М И, Перель В И ЖЭТФ 60 1954 (1971); D'yakonov M I, Perel' V I Sov. Phys. JETP 33 1053 (1971)
  2. Дьяконов М И, Качоровский В Ю ФТП 20 178 (1986); D'yakonov M I, Kachorovskii V Yu Sov. Phys. Semicond. 20 110 (1986)
  3. Рашба Э И ФТТ 2 1224 (1960); Rashba E I Sov. Phys. Solid State 2 1109 (1960)
  4. Дьяконов М И, Перель В И ФТТ 13 3581 (1971); D'yakonov M I, Perel V I Sov. Phys. Solid State 13 3023 (1972)
  5. Averkiev N S, Golub L E Phys. Rev. B 60 15582 (1999)
  6. Averkiev N S et al. Phys. Rev. B 74 033305 (2006)
  7. Larionov A V, Golub L E Phys. Rev. B 78 033302 (2008)
  8. Averkiev N S, Golub L E, Willander M J. Phys. Condens. Matter 14 R271 (2002)
  9. Глазов М М, Ивченко Е Л Письма в ЖЭТФ 75 476 (2002); Glazov M M, Ivchenko E L JETP Lett. 75 403 (2002)
  10. Leyland W J H et al. Phys. Rev. B 75 165309 (2007)
  11. Глазов М М, Ивченко Е Л ЖЭТФ 126 1465 (2004); Glazov M M, Ivchenko E L JETP 99 1279 (2004)
  12. Tarasenko S A Phys. Rev. B 80 165317 (2009)

© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение